2차원 금속 황화물 제작 및 이의 응용
| 연구책임자 | 김수영 |
| 소속 | 중앙대학교 |
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| 강의개요 | 이차원 물질은 일차원 물질과 비교했을 때 복잡한 구조를 제조하기가 상대적으로 쉬워 차세대 나노전자소자의 물질로 이용하기에 매력적이다. 다양한 물리적인 특성과 높은 이동성을 갖는 이차원 물질인 graphene은 가장 많은 연구가 진행되고 있다. 그러나 순물질의 graphene은 트랜지스터를 포함한 다양한 응용분야에서 필수적인 밴드갭을 가지고 있지 않다. 이러한 graphene이 밴드갭을 갖게 하기 위해서는 복잡한 제조과정이 필요하다. 전이금속 dichalcogenide 계열의 물질인 MoS2, WS2, TiS2, TaS2 등과 같은 결정은 수직적으로 쌓여있는 구조이고 van der Waals 상호작용으로부터 층을 형성하고 있다. 따라서 graphene과 같이 단일층으로 형성할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 또한 단층 dichalcogenide sulfide의 경우 고유 밴드갭을 가지고 있고 mobility 또한 고유의 값을 가지고 있다. 따라서 이러한 물질을 전자 소자로 응용하기에 충분한 매력을 지니고 있다. 본 사업에서는 이러한 금속 황화물의 제작 및 소자 적용과 관련된 최신 연구 동향을 살펴보고자 한다. |
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