검색결과 : 2건
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Selective epitaxial growth of SiGe : C for high speed HBTs Schafer H, Bock J, Stengl R, Knapp H, Aufinger K, Wurzer M, Boguth S, Rest M, Schreiter R, Meister TF Applied Surface Science, 224(1-4), 18, 2004 |
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Secondary ion mass spectrometry of deep trench capacitors in dynamic random access memory Parks CC, Glawischnig H, Levy M, Stengl R, Dieseldorff C Journal of Vacuum Science & Technology A, 17(4), 1130, 1999 |