검색결과 : 16건
| No. | Article |
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FDSOI bottom MOSFETs stability versus top transistor thermal budget featuring 3D monolithic integration Fenouillet-Beranger C, Previtali B, Batude P, Nemouchi F, Casse M, Garros X, Tosti L, Rambal N, Lafond D, Dansas H, Pasini L, Brunet L, Deprat F, Gregoire M, Mellier M, Vinet M Solid-State Electronics, 113, 2, 2015 |
| 2 |
I-V and low frequency noise characterization of poly and amorphous silicon Ti- and Co-salicide resistors Raoult J, Pascal F, Leyris C Thin Solid Films, 518(9), 2497, 2010 |
| 3 |
Selective epitaxial silicon growth in high aspect ratio contact on 70 nm node flash memory Ho CY, He JH, Chang YP, Lien CH Thin Solid Films, 517(24), 6850, 2009 |
| 4 |
나노급 Au층 삽입 니켈실리사이드의 미세구조 변화 윤기정, 송오성 Korean Journal of Materials Research, 18(1), 5, 2008 |
| 5 |
Improvement of Er-silicide formation on Si(100) by W capping Huang W, Ru GP, Jiang YL, Qu XP, Li BZ, Liu R Thin Solid Films, 516(12), 4252, 2008 |
| 6 |
니켈 코발트 합금조성에 따른 복합실리사이드의 물성 연구 김상엽, 송오성 Korean Journal of Materials Research, 17(2), 73, 2007 |
| 7 |
폴리실리콘 기판 위에 형성된 코발트 니켈 복합실리사이드 박막의 열처리 온도에 따른 물성과 미세구조변화 김상엽, 송오성 Korean Journal of Materials Research, 16(9), 564, 2006 |
| 8 |
이리듐 첨가에 의한 니켈모노실리사이드의 고온 안정화 윤기정, 송오성 Korean Journal of Materials Research, 16(9), 571, 2006 |
| 9 |
게이트를 상정한 니켈 실리사이드 박막의 물성과 미세구조 변화 정영순, 송오성, 김상엽, 최용윤, 김종준 Korean Journal of Materials Research, 15(5), 301, 2005 |
| 10 |
Strained Si MOSFETs on relaxed SiGe platforms: performance and challenges Chattopadhyay S, Driscoll LD, Kwa KSK, Olsen SH, O'Neill AG Solid-State Electronics, 48(8), 1407, 2004 |