전해 콘텐사용 알루미늄박의 애칭특성에 미치는 황산첨가의 영향 I. 에치터널의 형상 및 정전 용량

김성갑; 유인종; 장재명; 오한준; 지충수; S.K. Kim; I.J. Yoo; J.M. Jang; H.J. Oh; C.S. Chi

Korean Journal of Materials Research, Vol.10, No.5, 369-374, May, 2000

Export Citation

전해 콘텐사용 알루미늄박의 애칭특성에 미치는 황산첨가의 영향 I. 에치터널의 형상 및 정전 용량

Effects of Addition of Al foil for Electrolytic Capacitors I. Shape Parameters of Etch Tunnel and Capacitance

김성갑, 유인종¹, 장재명, 오한준 ², 지충수

국민대학교 금속재료공학부
¹국방과학연구소
²한서대학교 재료공학과

S.K. Kim, I.J. Yoo¹, J.M. Jang, H.J. Oh², and C.S. Chi

School of Metallurgical and Material Engineering, Kookmin University, Seoul 136-702, Korea
¹Agency for Defencse Development, Daejon, 305-600, Korea
²Dept. of Materials Engineering, Hanseo University, Seosan, 352-820, Korea

초록

전해콘텐서용 알루미늄박의 직류에칭에서 1M 염산욕에 부식억제제로 1M 황산을 첨가했을 때의 영향을 조사하기 위하여 에치 피트의 밀도, 에치 터널의 길이와 직경, 정전 용량 등의 변화를 분석하였다. 황산이온은 부식억제제로서 염소이온보다 시료의 표면에서 에치 피트의 밀도를 증가시키며 에치 터널의 직경은 감소하나 길이를 증가시킴으로써 전체적으로 표면적이 커지고 또한 정전 용량 값이 증가하였다. 황산이온을 첨가하였을 경우 전류 밀도가 0.9A/cm 2 보다 낮은 경우에는 정전 용량 값이 작지만 그 이상에서는 정전용량이 현저하게 증가하였다.

In order to investigate the effects of addition of 1M sulfuric acid to the etching solution or 1M hydrochloric acid on the etching behavior of aluminum foil for electrolytic capacitors, the changes in the density of etch pit, the length and diameter of etch tunnels and the capacitance were analyzed using SEM, TEM, LCR meter etc. Sulfate ion as a corrosion inhibitor was contributed to the increase of the surface area comparing with chloride ion. By adding sul-furic acid the density of etch pit and the length of etched tunnel increased and the diameter of the tunnel decreased, resulting in the increase of capacitance. It was also shown that the capacitance decreased when the current density was below 0.9A/cm 2 , while remarkably increased in the other case.

Keywords:etch pit;etch tunnel;anodizing;electrolytic capacitors

[References]

MAlbella J, Hornillos A, Snaz JM, J. Elecrochem. Soc., 125, 1950 (1978)
Goad D, J. Electrochem. Soc., 144(6), 1965 (1997)
Makino E, Shibata T, Ikeda M, Suganuma E, 表面技術, 49, 446 (1998)
Osawa N, Fukuoka K, 表面技術, 50, 643 (1999)
Osawa N, Fukuoka K, Tanabe Z, 住友輕金屬枝報, 35, 90 (1994)
Makino E, Takeda K, Yajima T, Sato T, Suganuma E, 金屬表面技術, 39, 466 (1988)
Matsuzaki T, Yamazaki T, Fujitsu Scientific Technical Journal, 6, 45 (1980)
Jeong JH, Choi CH, Lee DN, J. Mater. Sci., 31(21), 5811 (1996)
Dunn CG, Bolon RB, Alwan AS, Stirling AW, J.Mat. Sci, 118, 381 (1971)
Flis J, Kowalczyk L, J. Appl. Electrochem., 25(5), 501 (1995)
Hebert K, Alkire R, J. Electrochem. Soc., 135, 2447 (1988)
Hampson NA, Jackson N, Stirrup BN, Surf. Technol, 5, 277 (1977)
Hibio A, Tamaki M, Watanabe Y, Oki T, 輕金屬, 42, 440 (1992)
최창희, 오규환, 이동녕, 정재환, 대한금속학회, 32, 378 (1994)
Alwitt RS, J. Electrochem. Soc, 134, 1891 (1987)
Rosenfeld IL, Corr, 37, 371 (1981)
Igarashi H, Shimizu S, Kudo Y, IEEE Trans, 6, 363 (1983)

[Related Articles]

[1] MAlbella J, Hornillos A, Snaz JM, J. Elecrochem. Soc., 125, 1950 (1978)

[2] Goad D, J. Electrochem. Soc., 144(6), 1965 (1997)

[3] Makino E, Shibata T, Ikeda M, Suganuma E, 表面技術, 49, 446 (1998)

[4] Osawa N, Fukuoka K, 表面技術, 50, 643 (1999)

[5] Osawa N, Fukuoka K, Tanabe Z, 住友輕金屬枝報, 35, 90 (1994)

[6] Makino E, Takeda K, Yajima T, Sato T, Suganuma E, 金屬表面技術, 39, 466 (1988)

[7] Matsuzaki T, Yamazaki T, Fujitsu Scientific Technical Journal, 6, 45 (1980)

[8] Jeong JH, Choi CH, Lee DN, J. Mater. Sci., 31(21), 5811 (1996)

[9] Dunn CG, Bolon RB, Alwan AS, Stirling AW, J.Mat. Sci, 118, 381 (1971)

[10] Flis J, Kowalczyk L, J. Appl. Electrochem., 25(5), 501 (1995)

[11] Hebert K, Alkire R, J. Electrochem. Soc., 135, 2447 (1988)

[12] Hampson NA, Jackson N, Stirrup BN, Surf. Technol, 5, 277 (1977)

[13] Hibio A, Tamaki M, Watanabe Y, Oki T, 輕金屬, 42, 440 (1992)

[14] 최창희, 오규환, 이동녕, 정재환, 대한금속학회, 32, 378 (1994)

[15] Alwitt RS, J. Electrochem. Soc, 134, 1891 (1987)

[16] Rosenfeld IL, Corr, 37, 371 (1981)

[17] Igarashi H, Shimizu S, Kudo Y, IEEE Trans, 6, 363 (1983)