화학공학소재연구정보센터
Polymer(Korea), Vol.39, No.4, 662-667, July, 2015
전도성 입자의 형태가 감광성 실버 페이스트의 미세 전극 패턴 형성에 미치는 영향
Effect of Conductive Filler Shape on Fine Electrode Pattern of Photosensitive Silver Pastes
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초록
전도성이 우수한 미세 전극 패턴을 형성하기 위해 은 분말을 함유한 감광성 페이스트를 구현하고 입자의 형태에 따른 전기적 특성을 평가하였다. 노볼락 에폭시 변성 아크릴레이트 올리고머, 아크릴레이트 단량체, 광개시제를 혼합하여 광경화 및 알칼리 현상이 가능한 수지조성을 기반으로 은 분말을 첨가하여 감광성 Ag 페이스트를 제조하였다. 구형 은 분말의 함량이 증가할수록 전도성 입자간 밀집도가 좋아져 비저항(volume resistance) 값은 낮아졌으며, 88 wt%의 구형 은 분말을 함유한 페이스트는 1.14×10-4 Ω·cm의 값을 나타내었다. 구형과 판상형 은 분말을 8:2의 비로 혼합하였을 때 84 wt%로 은 분말의 함량을 줄였음에도 불구하고 비저항은 7.04×10-5Ω·cm로 가장 우수한 값을 보였다. 이 결과는 판상형 은 분말이 구형 분말 사이의 전도성 연결을 개선하여 전기가 흐르기 용이하도록 만들어 주었기 때문이다.
Photosensitive silver pastes were developed using a mixture of spherical and flake-type silver particles for fine electrode patterns with high electrical conductivity, and the electrical characteristics were evaluated as a function of particle shape. The photosensitive silver pastes mixed up novolac epoxy-modified acrylate oligomer, acrylate monomer, and photoinitiator as a photocurable and alkali-developable binder resin composition, and silver spheres and flakes as conductive fillers. With a increase of silver loading amount the volume resistance decreased due to enhancement of packing density between the conductive fillers, where the conductive paste with 88 wt% silver sphere content showed 1.14×10-4 Ω·cm. When the silver particles loading and sphere to flake ratio were 84 wt% and 8:2, the volume resistance exhibited 7.04×10-5 Ω·cm. This result was attributed to improvement of electrical contacts between silver spheres by flakes.
  1. Gordon RG, MRS Bull., 25, 52 (2000)
  2. Wang J, Liang MH, Fang Y, Qiu TF, Zhang J, Zhi LJ, Adv. Mater., 24(21), 2874 (2012)
  3. Lee J, Lee P, Lee H, Lee D, Lee SS, Ko SH, Nanoscale, 4, 6408 (2012)
  4. Elschner A, Lovenich W, MRS Bull., 36, 794 (2011)
  5. Kim KS, Zhao Y, Jang H, Lee SY, Kim JM, Kim KS, Ahn JH, Kim P, Choi JY, Hong BH, Nature, 457, 706 (2009)
  6. de Groep JV, Spinelli P, Polman A, Nano Lett., 12, 3138 (2012)
  7. Hu L, Kim HS, Lee JY, Peumans P, Cui Y, ACS Nano, 4, 2955 (2010)
  8. Lee JY, Connor ST, Cui Y, Peumans P, Nano Lett., 8, 689 (2008)
  9. Lee JH, Lee P, Lee D, Lee SS, Ko SH, Cryst. Growth Des., 12, 5598 (2012)
  10. Ko SH, Pan H, Grigoropoulos CP, Luscombe CK, Frechet JMJ, Poulikakos D, Nanotechnology, 18, 345202 (2007)
  11. Heo EY, Display Focus, 22, 22 (2012)
  12. Shaheen SE, Radspinner R, Peyghambarian N, Jabbour GE, Appl. Phys. Lett., 79, 2996 (2001)
  13. Pardo DA, Jabbour GE, Peyghambarian N, Adv. Mater., 12(17), 1249 (2000)
  14. Kim SJ, Lee JM, Lee WJ, Kim S, Park CP, Park B, In I, Chem. Lett., 43(12), 1855 (2014)
  15. Shin DY, Han JW, Chun S, Nanoscale, 6, 630 (2014)
  16. Tredinnick M, Barnwell P, Malanga D, Proc. 34th International Symposium on Microelectronics, 676 (2001).
  17. Skurski M, Smith M, Draudt R, Amey D, Horowitz S, Champ M, Int. J. Microcirc. Electron. Pack., 21, 355 (1998)
  18. Park SD, Lee YS, Cho HM, Lee WS, Park JC, J. Microelectron. Packag. Soc., 8, 69 (2001)
  19. Park SD, Kang NM, Lim JK, Kim DK, Kang NK, Park JC, J. Korea Ceram. Soc., 41, 313 (2004)
  20. Kim DK, Lim JK, Kim WG, Haw JR, Polym.(Korea), 28(6), 531 (2004)
  21. Kim DK, Lim JK, Kim WG, Heo JL, Polym.(Korea), 29(3), 237 (2005)
  22. Baek SS, Lee SW, Hwang SH, Polym.(Korea), 37(1), 121 (2013)
  23. Lim HS, Kim SN, Lim JA, Park SD, J. Mater. Chem., 22, 20529 (2012)