N2 가스 Flow 에 의한 LPCVD 방법으로 증착된 다결정 실리콘 박막의 산소농도 저하

안승준; 정민호; Seung Joon Ahn; Min Ho Jeong

Korean Journal of Materials Research, Vol.9, No.3, 269-273, March, 1999

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N2 가스 Flow 에 의한 LPCVD 방법으로 증착된 다결정 실리콘 박막의 산소농도 저하

Reduction of Oxygen Concentration in the LPCVD Polysilicon Films Deposited by N2 Gas-Flow Method

안승준, 정민호

선문대학교 자연과학대학 물리학과

Seung Joon Ahn, and Min Ho Jeong

Department of Physics, Sun Moon University, Asan 336-840, Korea

초록

일반적으로 LPCVD 방법에 의한 다결정 실리콘 박막은 SiH4 가스를 열분해하여 증착한다. 본 실험에서는 다결정 실리콘 박막속에 포함된 산소농도를 낮추기 위하여 실리콘 웨이퍼를 반응로 안으로 장착할 때，20s1m 의 N2 가스를 반응로의 위에서부터 아래로 flow하였으며 박막의 산소농도를 측정하기 위하여 두께가 1000Å 인 박막을 증착한 다음 SIMS 로 분석한 결과 반응로의 hatch에 있는 짧은 injector 를 통하여 20slm 의 N2 가스를 flow 한 경우보다 박막의 산소놓도가 ~30 배 정도 낮아짐을 알 수 있었다.긴 injector를 사용하여 증착된 박막의 두께 균일도, particle 및 Rs를 측정하여 박막증착의 재현성이 있음을 평가하였다.

Polycrystalline silicon films are generally deposited by LPCVD, utilizing the thermal decomposition of SiH4 gas. When silicon wafers are loaded into the furnace in order to reduce oxygen ∞ncentration of the films, we flow 20slm N2 gas from top to bottom of the furnace, and then deposit films of 1000Å thickness to measure oxygen concentration by SIMS. As a consequence of SIMS, we obtain oxygen concentration in films lower about 30 times than that of films deposited with 20slm N2 gas-flow through the short injector in the hatch of furnace. In our long injector system, we estimate a reproducibility by uniformity, particle, and Rs of the deposited films.

[References]

Song YH, Kim JD, Cho KI, Yoo HJ, 제 3 회 한국반도체 학술대회 논문집, 191 (1996)
Kohno A, Samesruma T, Sano N, Sekiya M, Hara M, IEEE Trans. Electron Devices, 42, 251 (1995)
Nakazawa K, J. Appl. Phys., 69, 1703 (1991)
Kamins TI, J. Electrochem. Soc., 121, 681 (1974)
Rai-Choudhury P, Hower PL, J. Electrochem. Soc., 120, 1761 (1973)
Hottier F, Cadoret R, J. Cryst. Growth, 56, 304 (1982)
Foster DW, Learn AJ, Kamins TI, J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 1182 (1986)
Harbeke G, Krausbauer L, Steigmeier EF, Widmer AE, Kappert HF, Neugebauer G, J. Electrochem. Soc., 131, 675 (1984)
Yokoyama S, Hirose M, Osaka Y, Jpn. J. Appl. Phys., 20, 35 (1981)
日經BP사, Flat Panel Display’91, 日經BP사 (1991)
Seto JYW, J. Appl. Phys., 46, 5247 (1975)
Kamins TI, J. Appl. Phys., 42, 4357 (1971)
Baccarani G, Ricco' B, Spadini G, J. Appl. Phys., 49, 5565 (1978)
Bisaro R, Magarino J, Proust N, Zellama K, J. Appl. Phys., 59, 1167 (1986)
Kamins TI, J. Electrochem. Soc., 127, 686 (1980)

[1] Song YH, Kim JD, Cho KI, Yoo HJ, 제 3 회 한국반도체 학술대회 논문집, 191 (1996)

[2] Kohno A, Samesruma T, Sano N, Sekiya M, Hara M, IEEE Trans. Electron Devices, 42, 251 (1995)

[3] Nakazawa K, J. Appl. Phys., 69, 1703 (1991)

[4] Kamins TI, J. Electrochem. Soc., 121, 681 (1974)

[5] Rai-Choudhury P, Hower PL, J. Electrochem. Soc., 120, 1761 (1973)

[6] Hottier F, Cadoret R, J. Cryst. Growth, 56, 304 (1982)

[7] Foster DW, Learn AJ, Kamins TI, J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 1182 (1986)

[8] Harbeke G, Krausbauer L, Steigmeier EF, Widmer AE, Kappert HF, Neugebauer G, J. Electrochem. Soc., 131, 675 (1984)

[9] Yokoyama S, Hirose M, Osaka Y, Jpn. J. Appl. Phys., 20, 35 (1981)

[10] 日經BP사, Flat Panel Display’91, 日經BP사 (1991)

[11] Seto JYW, J. Appl. Phys., 46, 5247 (1975)

[12] Kamins TI, J. Appl. Phys., 42, 4357 (1971)

[13] Baccarani G, Ricco' B, Spadini G, J. Appl. Phys., 49, 5565 (1978)

[14] Bisaro R, Magarino J, Proust N, Zellama K, J. Appl. Phys., 59, 1167 (1986)

[15] Kamins TI, J. Electrochem. Soc., 127, 686 (1980)