열 CVD법에 의한 ZnO 박막의 저온 합성에 관한 연구

박흥철; 문희; 정상철

HWAHAK KONGHAK, Vol.29, No.5, 526-533, October, 1991

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열 CVD법에 의한 ZnO 박막의 저온 합성에 관한 연구

Preparation of Zinc Oxide Thin Film by Thermal Chemical Vapor Deposition-Synthesis of thin Film from Zinc Acetate-

박흥철, 문희, 정상철

초록

기존의 MOCVD법에서 사용한 원료의 문제점을 개선하기 위한 일환으로, 값이 싸고 취급이 용이한 초산아연 Zn(CH₃COO)₂ㆍ2H₂O을 원료로 선택하여 열 CVD법에 의해서 C축 배향성이 우수한 ZnO박막을 상압과 비교적 낮은 반응온도에서 빠른 성막속도로 합성하였다. ZnO박막은 250℃이상으로부터 성막이 시작되었고, 온도가 올라갈수록 적층량이 증가하였다. 적층속도에 대하여 carrier gas(N₂)의 유속, O₂의 유속이 변수로 작용하였으며, 산소가 존재하지 않은 조건하에서도 성막이 가능하였다.

For the purpose of improving the use of raw materials, zinc acetate-2-water which is cheap and easy to handle was used to synthesize ZnO this films by thermal CVD method, which gave a good C-axis orientation even at atmospheric pressure and at relatively low temperature. The formation of ZnO films starts from 250℃ and the deposition rate increases with increasing reaction temperature. The rate of deposition was affected by flow rates of N₂ and O₂. Without the flow of O₂, the oxygen required in synthesi-zing ZnO films was partially supplied by zinc acetate-2-water itself.

[References]

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[Referenced By]

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[7] Bennet BR, Lorenzo JP, Vaccaro K, Davis A, J. Electrochem. Soc., 134, 1517 (1987)

[8] Maruyama T, Shionoya J, Jpn. J. Appl. Phys., 28(12), L2253 (1989)

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[10] Suzuki M, Kag. Kog., 51(5), 389 (1987)

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[12] Maruyama T, Nakai A, Jpn. J. Appl. Phys., 28(2), L346 (1989)

[13] Pulker HK, "Coatings on Glass," Elsevier, New York, N.Y. (1984)

[14] Raven MS, Al-Sinald MH, Owen SJT, Tansley TL, Thin Solid Films, 71, 25 (1980)