TiO2 박막의 원자층성장에 관한 연구

부진효; 조성민

HWAHAK KONGHAK, Vol.37, No.4, 615-617, August, 1999

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TiO2 박막의 원자층성장에 관한 연구

A Study on Atomic Layer Growth of TiO₂ Thin Films

부진효, 조성민

초록

원자층성장 반응기를 사용하여 TiO2 박막을 성장하였다. 사용된 원자층성장 반응기는 원료주입구를 가진 기판이 회전하는 형태의 반응기이다. 370℃와 430℃의 온도영역에서 원자층성장이 이루어지는 것으로 관찰되었으며 이 온도에서 성장된 TiO2 박막은 rutile 결정상을 보였다. 이러한 온도영역에서는 매 cycle당 0.5 monolayer의 성장, 즉 1.78Å/cycle의 성장속도를 나타내었다. Ti(OPrⁱ)₄ 원료를 위한 이송기체의 유속이 10-20sccm 영역에서 원자층성장을 보였다.

Using an atomic layer growth reactor, thin films of TiO₂ were obtained. The reactor was composed of separate feed lines with the rotating substrate. In the temperature range of 370-430℃ the atomic layer growth of rutile TiO₂ was observed with the growth rate of 1.78Å/cycle. The atomic layer growth was found to be possible at the carrier gas flow rate of 10-20 sccm.

Keywords:Atomic Layer Epitaxy;TiO₂;Rutile;Thin Films

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