학술대회 목록보기 번호 제목 1 다이렉트 플라즈마와 리모트 플라즈마 원자층 증착법으로 증착한 하프늄 산화막의 물리적, 전기적 특성에 관한 연구|The Characteristics of HfO2 Thin High-k Gate Oxide Deposited by Direct and Remote Plasma Atomic Layer Deposition Methods.김인회, 국승우, 김석훈, 전형탁한국재료학회 2005년 가을 학술대회 1
