화학공학소재연구정보센터
번호 제목
4 Effect of Strain and Band Offset on Memory Margin of Capacitor-less Memory-cell on Strained Si on Relaxed SiGe Layer-on-insulator
Seung-Hyun Song, Du-Yeong Lee, Sung-Gwang Kim, Tae-Hyun Kim, Okuyama Ryosuke, Tae-Hun Shim, Jae-Gun Park
한국재료학회 2011년 가을 학술대회
3 Dependency of conductivity on Ge concentration in SiGe grown on Silicon-on-insulator
Won-Kyung Park, Min-Hee Yun, Tae-Hyun Kim, Gon-Sub Lee, Jea-Gun Park
한국재료학회 2006년 봄 학술대회
2 수소이온주입 도즈량 및 어닐링 조건에 따른 dislocation 밀도 변화에 대한 고찰|Effect of Hydrogen Implantation Dose and Annealing Condition on Dislocation Density
나정수, 석동방, 김재한, 이곤섭, 박재근
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
1 Strained Si를 만들기 위한 SiGe layer 형성에 temperature, GeH4 gas pre-flow, gas ratio가 미치는 영향|Effect of temperature, GeH4 gas pre-flow, gas ratio on formation of SiGe layer for strained Si
안상준, 이곤섭, 박재근
한국재료학회 2003년 가을 학술대회