화학공학소재연구정보센터
번호 제목
3 Electrical and Optical Properties of InGaN/GaN Quantum Well Light-Emitting Diodes with N-GaN Layer
최락준, 이형재, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 가을 학술대회
2 n-전극 위치에 따른 InGaN/GaN 다중 양자우물 발광 다이오드의 전기적·광학적 특성
최락준, 한명수, 강형곤, 이 석, 이형재, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 봄 학술대회
1 p-GaN층에 따른 InGaN/GaN 다중 양자우물 발광 다이오드의 전기.광학적 특성|Effects of p-GaN Layer on Electrical and Optical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes
최락준,한윤봉|Rak-Jun Choi,Yoon-Bong Hahn
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회