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Additive gas effects in fluorocarbon-based plasma etching chemistry
박재형, 장원석, 유동훈, 육영근, 유혜성, 임연호
한국화학공학회 2018년 가을 학술대회 |
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Realistic plasma surface reaction model for cyclic fluorocarbon atomic layer etching process
유혜성, 임연호, 육영근, 유동훈
한국화학공학회 2017년 가을 학술대회 |
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Molecular Dynamic Simulation for Contact Hole Etching Process under Fluorocarbon plasma
육영근, 유혜성, 최광성, 유동훈, 장원석, 임연호
한국화학공학회 2017년 봄 학술대회 |
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3D feature profile simulation coupled with realistic surface kinetic chemical reaction for pulsed etch process in fluorocarbon plasmas
조덕균, 최광성, 육영근, 이세아, 천푸름, 유동훈, 장원석, 임연호
한국화학공학회 2013년 봄 학술대회 |
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Plasma Simulation of Gas Flow Effect on Plasma Uniformity in Inductively Coupled Plasma Etcher
이재원, 채희엽, 박근주
한국화학공학회 2007년 봄 학술대회 |
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Numerical Analysis of Capacitively Coupled Plasma Driven by Dual RF Power Sources
김헌창, 황일선
한국공업화학회 2004년 가을 학술대회 |
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Dry Etching of SiO2 with C2F6 Plasma in an ICP Process: Numerical Study with a CFD Code
서승택, 이용희, 이광순
한국화학공학회 2004년 가을 학술대회 |
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RF 플라즈마 전산모사시 시간에 따른 주기적 정상상태 효율적 계산|On Rapid Computation of Time Periodic Steady State for Simulation of RF Plasma
김헌창|Heon Chang Kim
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회 |
