화학공학소재연구정보센터
번호 제목
7 실리콘 웨이퍼 상 금속 오염 세정 공정 연구
이동환, 김민수, 김현태, 최인찬, 장성해, 박진구
한국재료학회 2016년 가을 학술대회
6 Si 웨이퍼 제조 공정 중 발생하는 금속 오염물 및 오염 입자 제거를 위한 세정공정 연구
송희진, 박건호, 장성해, 김민수, 박진구
한국재료학회 2016년 봄 학술대회
5 Phase Shift Mask의 표면개질에 의한 Critical Dimension 변화억제
추혁성, 임상우
한국화학공학회 2013년 가을 학술대회
4 SC1 세정과 Phase Shift Mask의 CD 변화와의 관계 파악
추혁성, 임상우
한국화학공학회 2012년 가을 학술대회
3 과산화수소를 대체하여 고농도의 오존수를 사용한 SC1의 오염물 제거 효율 평가
이승호, 박진구, 이상호, 김태곤, 권태영
한국재료학회 2006년 봄 학술대회
2 RCA 반도체 습식 세정 공정 중 오존을 이용한 SC1 세정을 위한 최적화 연구|The Study of Optimized Process Condition using Ozone for SC1 Solution in RCA Wet Cleaning Process
이승호, 이상호, 김규채, 권태영, 박진구, 배소익, 김인정, 이건호
한국재료학회 2005년 가을 학술대회
1 반도체 습식 세정 공정중 SC1 세정 용액에 킬레이팅 에이전트 첨가에 의한 오염 입자와 금속 오염물 제거 효과|Removal of Particles and Metal Impurities by adding of Chelating Agent onto SC1 Cleaning Solution in Semiconductor Wet Cleaning Process
이승호, 이상호, 권태영, 박진구, 배소익, 김인정, 이건호
한국재료학회 2005년 봄 학술대회