화학공학소재연구정보센터
번호 제목
23 Self-separation of GaN Layer Grown by HVPE on MOCVD-GaN/Sapphire Substrates with Implantation of Hydrogen Ion on MOCVD-GaN Layer
이재언, 심재형, 박진성, 심태헌, 박재근
한국재료학회 2018년 가을 학술대회
22 Composition Ratio Effect on CdTe Channel Device Synthesized by Solution Process
Jaekyeong Jeong, Azida binti Azmi
한국재료학회 2016년 가을 학술대회
21 Improve Quality of Bi2Te3 Films Grown by Molecular Beam Epitaxy on (0001) Sapphire Substrate
Duc Duy Le, Trong Si Ngo, Soon-Ku Hong, Duy Khanh Tran
한국재료학회 2016년 봄 학술대회
20 Hydrothermally Grown ZnO Based Material For Solid State Lighting Applications
장수환, 김지민, 백광현
한국화학공학회 2015년 봄 학술대회
19 저비용 ZnO 기반의 발광 다이오드
장수환, 김지민, 백광현
한국공업화학회 2015년 봄 학술대회
18 Electrical control of device-quality complex oxide heterostructures
손준우, Susanne Stemmer
한국재료학회 2013년 가을 학술대회
17 InAs 양자점과 DWELL을 이용한 광대역 SLD 성장  (Growth of broad band SLD by using InAs QD and DWELL)
박성준, 박문호, 김호성, 최원준, 명재민
한국재료학회 2013년 봄 학술대회
16 광대역의 SLD 위한 양자점 성장과 특성에 관한 연구 (Growth and characterization of quantum dots for broadband super luminescence diodes)
박성준, 명재민, 신범기, 임주영, 김수연, 이은혜, 송진동, 최원준
한국재료학회 2010년 가을 학술대회
15 Growth behavior on initial layer of ZnO:P layers grown by magnetron sputtering with controlled by O2 partial pressure
김영이, 안철현, 배영숙, 김동찬, 조형균
한국재료학회 2009년 봄 학술대회
14 A study on the photovoltaic device using InAs multi-quantum dot grown by molecular beam epitaxy
S.J. Hwangboe, J.H. Jang, J.Y. Leem, D.H. Kim, M.H. Jeon
한국재료학회 2008년 봄 학술대회