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번호	제목
16	박막 두께변화에 따른 ZnO 저항 메모리소자의 특성 변화(Characteristics of ZnO ReRAM devices with different thicknesses) 강윤희, 최지혁, 이태일, 명재민 한국재료학회 2011년 봄 학술대회
15	Fully room temperature fabricated TaO_x thin film for non-volatile memory Sun Young Choi, Sangsig Kim, Jeon-Kook Lee 한국재료학회 2011년 봄 학술대회
14	The resistive switching characteristics of Au-NiO-Au segmented nanowires synthesized by electrochemical deposition 이새은, 김동욱, 유봉영 한국재료학회 2011년 봄 학술대회
13	Resistive Switching Memory Devices Based on Layer-by-Layer Assembled-Superparamagnetic Nanocomposite Multilayers via Nucleophilic Substitution Reaction in Nonpolar Solvent 김영훈, 고용민, 구본기, 조진한 한국재료학회 2011년 봄 학술대회
12	Layer-by-Layer Assembled Nonvolatile Memory Devices using Nucleophilic Substitution Reaction in Nonpolar Solvent 김영훈, 조진한 한국고분자학회 2010년 가을 학술대회
11	Unipolar and bipolar resistive switching characteristics of ZnO thin film 이승협, 용기중 한국화학공학회 2010년 가을 학술대회
10	ZnO 박막의 두께에 따른 저항 메모리 특성 평가 강윤희, 최지혁, 명재민 한국재료학회 2010년 가을 학술대회
9	Resistive Switching in Au/ZnO/ITO Thin Film Stacks for Nonvolatile Random Access Memory 김아름, 전태환, 문주호 한국재료학회 2010년 가을 학술대회
8	Bipolar resistive switching behaviour of MnO₂ thin film for non-volatile memory devices Min Kyu Yang, Choi Sun Young, Tae Kuk Ko, Jeon-Kook Lee 한국재료학회 2010년 봄 학술대회
7	Resistive Switching Memory Devices Composed of Binary Transition Metal Oxides Using Sol-Gel Chemistry 이찬우, 조진한 한국고분자학회 2009년 봄 학술대회