화학공학소재연구정보센터(CHERIC) | 연구정보 | 문헌DB

학술대회 목록보기

번호	제목
18	평판형 유도결합 BCl₃/CF₄ 플라즈마를 이용한 GaAs/AlGaAs 선택적 건식 식각\|Selective Dry Etching of GaAs over AlGaAs in a Planar Inductively Coupled BCl₃/CF₄ Plasma 유승열, 장수욱, 박민영, 이장희, 노호섭, 임완태, 이제원, 조관식, 전민현, 송한정, 백인규, 권민철 한국재료학회 2005년 봄 학술대회
17	평판형 유도결합 플라즈마를 이용한 GaAs/AlGaAs 및 GaAs/InGaP의 선택적 및 비선택적 건식식각의 비교\|Comparison of Selective and Non-Selective Dry Etching of GaAs/AlGaAs and GaAs/InGaP using Planar Inductively Coupled Plasmas 박민영, 최충기, 류현우, 노호섭, 문준희, 유승열, 임완태, 이제원, 조관식, 전민현, 송한정, 백인규, 권민철, 박건수, 윤진성 한국재료학회 2005년 봄 학술대회
16	F-based 플라즈마를 이용한 GaAs/AlGaAs와 InGaP 반도체의 건식식각에 관한 연구\|A study of Dry etching of GaAs over AlGaAs and InGaP Semiconductor in F-based Plasmas 장수욱, 류현우, 최충기, 문준희, 이장희, 유승열, 임완태, 이제원, 전민현, 조관식, 송한정, 백인규, 권민철, 문성진, 신동현 한국재료학회 2005년 봄 학술대회
15	C₂F₆유도결합플라즈마(ICP)를 이용한 산화아연(ZnO) 식각에 관한 연구\|Inductively coupled plasma reactive ion etching of ZnO using C2F6 gas. 이건교, 이병택 한국재료학회 2005년 봄 학술대회
14	MOCVD를 이용하여 sapphire(0001)에 성장한 Al 함량에 따른 AlGaN/GaN의 특성\|Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD 박현규, 강호재, 진정근, 연대흠, 최재홍, 김지원, 변동진 한국재료학회 2005년 봄 학술대회
13	산화막 형성과 열처리를 이용한 Si_0.77 Ge_0.23 박막의 격자 이완\|Strain Relaxation of Si_0.77 Ge _0.23on Si(100) by Oxide Capping and Thermal Annealing 김현우, 홍석원, 배덕규, 송석찬, 최석, 정승훈, 윤의준 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
12	GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 열처리 효과\|Thermal Annealing Effects of Ion Implanted Sapphire(0001) Substrate for GaN 강호재, 진정근, 이재석, 박현규, 연대흠, 노대호, 변동진, 고의관, 이재상, 이재형 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
11	수소 식각을 이용한 4H-SiC 표면 처리 연구 이승현, 이경선, 남기석 한국화학공학회 2003년 가을 학술대회
10	FBAR 소자제작을 위한 전극막에 따른 ZnO 방향성 연구 최승혁, 김종성 한국화학공학회 2003년 가을 학술대회
9	Laser Molecular Beam Epitaxy system에서 Reflection High Energy Electron Diffraction을 통한 BaTiO₃/SrTiO₃ 산화물 인공격자의 성장과 구조적 분석\|The growth and structural analysis of BaTiO₃/SrTiO₃ oxide artificial lattice by Laser Molecular Beam Epitaxy system combined Reflection High Energy Electron Diffraction 이창훈, 김이준, 전성진, 김주호, 최택집, 이재찬 한국재료학회 2003년 가을 학술대회