| 11 |
Molecular Beam Epitaxy of ZnSe/ZnTe superlattice buffer layers for the growth of antimonides thin films
김시영, 이웅, 정미나, 이홍찬, 이상태, 조영래, 고항주, 송준석, Takafumi Yao, 장지호
한국재료학회 2007년 가을 학술대회 |
| 10 |
Anisotropic character of charge carrier mobility through the alignment techniques in thin-film transistors
강석주, 노용영, 김지은, 백강준, 김동유
한국고분자학회 2005년 가을 학술대회 |
| 9 |
Atomic layer deposition of high quality ZnO films grown on homo buffer layer : structural and optical properties
이 석, 임용환, Umar Ahmad, 김상훈, 한윤봉
한국화학공학회 2005년 봄 학술대회 |
| 8 |
Effect of Au/Mg overlayer and Si substrate biasing on the nucleation and growth of diamond using HFCVD
Dar Mushtaq Ahmad, 김영순, 조중희, 김길성, V. P. Godbole, 신형식
한국화학공학회 2005년 봄 학술대회 |
| 7 |
MOCVD법으로 버퍼층을 활용한 ZnO 박막 제조|Preparation of ZnO thin films by MOCVD using buffer layers
박재영, 이동주, 윤영수, 문종하, 이병택, 김상섭
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
| 6 |
질화 처리된 (0001) 사파이어 기판에 성장한 산화 아연 박막의 물리적 특성 연구|Various nitride buffer effect of sapphire (0001) surface on the physical properties of ZnO thin films
서효원, 변동진, 최원국
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
| 5 |
Plasma source와 RF power에 따른 NiO 박막의 우선배향성 및 표면형상|The Evolution of Preferred Orientation and Morphology of NiO Thin Films under Variation of Plasma Source and RF Power
Hyunwook Ryu, Jinseong Park
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
| 4 |
이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성|The characteristics of AlN buffered GaN on ion implanted Si(111)
강민구, 진정근, 이재석, 노대호, 양재웅, 변동진
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
| 3 |
저온 GaN buffer 층을 이용한 GaN 박막 성장에 관한 연구|Studies on the growth of GaN thin films by using low temperature GaN buffer layers
윤덕선, 여석기, 도창주, 한승훈, 박진호|Deoksun Yoon, Seokki Yeo, Changjoo Doh, Seunghun Han, Chinho Park
한국화학공학회 2002년 봄 학술대회 |
| 2 |
The Electrical Characteristics and The Effect of Efficiency of OLEDs using buffer layer
이기욱, 임성택, 신동명
한국고분자학회 2002년 가을 학술대회 |
