번호 | 제목 |
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포토마스크 헤이즈 형성 방지를 위한 DIO3 세정 공정 조건 양자현, 임경택, 윤미현, 임상우 한국화학공학회 2009년 가을 학술대회 |
6 |
포토마스크 헤이즈 형성 방지를 위한 계면활성제를 이용한 세정 효과 양자현, 임경택, 윤미현, 임상우 한국화학공학회 2009년 봄 학술대회 |
5 |
오존수를 이용한 실리콘 웨이퍼 연마 후 지용성 왁스 제거 효율 및 습식 세정 공정의 최적화에 관한 연구 이재환, 이승호, 김태곤, 박진구 한국재료학회 2007년 봄 학술대회 |
4 |
과산화수소를 대체하여 고농도의 오존수를 사용한 SC1의 오염물 제거 효율 평가 이승호, 박진구, 이상호, 김태곤, 권태영 한국재료학회 2006년 봄 학술대회 |
3 |
RCA 반도체 습식 세정 공정 중 오존을 이용한 SC1 세정을 위한 최적화 연구|The Study of Optimized Process Condition using Ozone for SC1 Solution in RCA Wet Cleaning Process 이승호, 이상호, 김규채, 권태영, 박진구, 배소익, 김인정, 이건호 한국재료학회 2005년 가을 학술대회 |
2 |
세정 성능 평가를 위한 실리콘 웨이퍼 표면에서의 입자 오염 방법|Particle Contamination Method on Si Wafer Surface for Evaluation of Cleaning Efficiency 김규채, 권태영, 이승호, 이상호, 박진구 한국재료학회 2005년 가을 학술대회 |
1 |
반도체 습식 세정 공정중 SC1 세정 용액에 킬레이팅 에이전트 첨가에 의한 오염 입자와 금속 오염물 제거 효과|Removal of Particles and Metal Impurities by adding of Chelating Agent onto SC1 Cleaning Solution in Semiconductor Wet Cleaning Process 이승호, 이상호, 권태영, 박진구, 배소익, 김인정, 이건호 한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |