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고유전물질의 게이트 전극 활용을 위한 TaN, TaSiN의 일함수 및 열안정성|Workfunction and thermal stability of TaN, TaSiN for gate electrodes of high-k dielectrics
김광수, 김영배, 최덕균
한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
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Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) neodymium 을 이용한 Nd oxide 박막의 액체직접주입방식(DLI) 유기금속화학증착|Direct liquid injection metal organic chemical vapor deposition of Nd oxide films using Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) neodymium
송문균, 이시우
한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
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CMOS 적용을 위하여 질소플라즈마 효과를 이용한 초박막 HfO2 게이트 유전체의 전기적, 신뢰성 특성 평가|Electrical and reliability characteristics of ultra-thin HfO2 gate dielectrics by N2 plasma treatment for CMOS application
김전호, 최규정, 윤순길, 이원재, 김진동
한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
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MOMBE로 성장한 고유전 HfO2 박막의 전기적 특성|Properties of high-k HfO2 films grown by MOMBE
문태형, 함문호, 김명석, 윤일구, 명재민
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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Dichlorobis[bis(trimethylamido)]hafnium과 물을 이용한 Hafnium Silicate의 단원자층 화학증착
남원희, 강상우, 이시우, 이정현, Steven. M. George
한국화학공학회 2003년 가을 학술대회 |
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Electrical and physical characteristics of MOCVD zirconium and hafnium silicate thin films using new combinations of precursors
김재현, 용기중
한국화학공학회 2003년 가을 학술대회 |
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Atomic layer deposition으로 증착된 Ta2O5 박막의 전도기구에 대한 UV ozone annealing 효과|Effects of UV ozone annealing on conduction mechanism in Ta2O5 thin films deposited by atomic layer deposition
엄다일, 전인상, 노상용, 황철성, 김형준
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
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SiO2/CVD-HfAlO/Pt-electrode gate 구조에서 H-termination효과 및 전기적 특성의 관찰|H-termination effect and electrical property of SiO2/CVD-HfAlO/Pt-electrode gate stack
최지훈, 이치훈, 박재후, 이석우, 황철성, 김형준
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
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고유전체 전극물질로서의 TaN 응용가능성 연구|Research on applicability of TaN as an electrode material for high-k dielectrics
김영순, 이태호, 안진호
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
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반도체 Wet Cleaning Process
조일현
한국화학공학회 2003년 봄 학술대회 |
