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오존수를 이용한 실리콘 웨이퍼 연마 후 지용성 왁스 제거 효율 및 습식 세정 공정의 최적화에 관한 연구
이재환, 이승호, 김태곤, 박진구
한국재료학회 2007년 봄 학술대회 |
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CeO2 thin film deposition on SiO2 particles by MOCVD method for abrasive particles of CMP
안재희, 이관영
한국화학공학회 2006년 가을 학술대회 |
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MOCVD를 이용한 SiO2 나노 입자상의 CeO2 박막 증착
안재희, 이관영
한국화학공학회 2006년 봄 학술대회 |
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절삭폐액중 절삭제 SiC 의 분리회수 공정개발
주지선, 변용수, 함동수, 박수남
한국공업화학회 2004년 가을 학술대회 |
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기계적, 전기화학적 방법을 통한 slurry에 첨가되는 pH 적정제가 Cu CMP에 미치는 영향 분석|The effect of Cu CMP on pH adjustor of slurry by the Mechanical and Electrochemical analyses
강영재, 박진구
한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
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고 연마율을 위한 MEMS CMP용 Cu 슬러리의 특성 평가|The Characterization of Cu Slurry with High Removal Rate for MEMS CMP
이진형, 김인권, 임현우, 차남구, 박진구
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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구리박막의 전기화학적 연마공정에서 pH 및 potential의 영향에 관한 연구
박경순, 오윤진, 정찬화
한국화학공학회 2003년 가을 학술대회 |
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알칼리 용액에서의 전기 화학 연마 공정에 의한 구리박막 평탄화에 관한 연구
박경순, 오윤진, 정태우, 김일욱, 백종성, 정찬화
한국화학공학회 2003년 봄 학술대회 |
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식각용액으로 구성된 냉각패드를 활용한 새로운 개념의 반도체 공정용 화학적 기계적 연마공정에 관한 연구|A new-concept chemical mechanical polishing method using frozen chemical pad for semiconductor device processing
오윤진,박경순,유재옥,정태우,김일욱,정찬화|Youn-Jin Oh,Gyung-soon Park,Jae-ok Yoo,Tae Woo Jung,Il-Wook Kim,Chan-Hwa Chung
한국화학공학회 2001년 가을 학술대회 |
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구리의 화학·기계적 연마공정에서 연마속도와 표면 평탄도에 미치는 화학반응의 영향|EEffects of the Chemical Reaction on the Polish Rate and Surface Roughness in the Copper CMP
배선혁, 김도현|Sun Hyuk Bae, Do Hyun Kim
한국화학공학회 2001년 봄 학술대회 |
