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Wafer-scale and selective-area growth of high-quality hexagonal boron nitride on Ni(111) by metal-organic chemical vapor deposition 정호경, 김재원, 문석호, 김종규 한국공업화학회 2019년 봄 학술대회 |
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Growth Characteristics of Hetero-epitaxial GaN Growth on 2D Hexagonal Boron Nitride by MOCVD 김재원, 정호경, 문석호, 김지예, 김종규 한국공업화학회 2019년 봄 학술대회 |
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Improvements in structural and optical properties of wafer-scale hexagonal boron nitride film by post-growth annealing 정호경, 문석호, 김종규 한국공업화학회 2019년 봄 학술대회 |
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Growth and Assembly of 2D Semiconducting Films with Atomic Precision Kibum Kang 한국재료학회 2018년 가을 학술대회 |
107 |
Self-separation of GaN Layer Grown by HVPE on MOCVD-GaN/Sapphire Substrates with Implantation of Hydrogen Ion on MOCVD-GaN Layer 이재언, 심재형, 박진성, 심태헌, 박재근 한국재료학회 2018년 가을 학술대회 |
106 |
GaN Template Fabrication on Trapezoid Patterned Sapphire Substrate using SOG Mask with Different Buffer Layers 심규연, 정우섭, 조승희, 고현아, 이두원, 안민주, 강성호, 변동진 한국재료학회 2018년 가을 학술대회 |
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GaN epitaxial growth using Ion implantaion process on Patterned Sapphire Substrate. 이두원, 정우섭, 조승희, 고현아, 안민주, 심규연, 변동진 한국재료학회 2018년 봄 학술대회 |
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Evaluation of Properties of GaN by Growth Conditions of AlN Buffer Layer Using Mass-Production Sputtering Equipment Kyu-Yeon Shim, Woo-Seop Jeong, Seung-Hee Cho, Hyun-A Ko, Doo Won Lee, Min Joo Ahn, Dongjin Byun 한국재료학회 2018년 봄 학술대회 |
103 |
Photon and Energy Conversion through Atomically Thin Semiconductor Heterojunctions 이철호 한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |
102 |
Surface analysis of N2 plasma treated sapphire substrate for AlN buffer layer 정우섭, 김대식, 조승희, 김철, 고현아, 이두원, 안민주, 변동진 한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |