화학공학소재연구정보센터
번호 제목
111 Wafer-scale and selective-area growth of high-quality hexagonal boron nitride on Ni(111) by metal-organic chemical vapor deposition
정호경, 김재원, 문석호, 김종규
한국공업화학회 2019년 봄 학술대회
110 Growth Characteristics of Hetero-epitaxial GaN Growth on 2D Hexagonal Boron Nitride by MOCVD
김재원, 정호경, 문석호, 김지예, 김종규
한국공업화학회 2019년 봄 학술대회
109 Improvements in structural and optical properties of wafer-scale hexagonal boron nitride film by post-growth annealing
정호경, 문석호, 김종규
한국공업화학회 2019년 봄 학술대회
108 Growth and Assembly of 2D Semiconducting Films with Atomic Precision
Kibum Kang
한국재료학회 2018년 가을 학술대회
107 Self-separation of GaN Layer Grown by HVPE on MOCVD-GaN/Sapphire Substrates with Implantation of Hydrogen Ion on MOCVD-GaN Layer
이재언, 심재형, 박진성, 심태헌, 박재근
한국재료학회 2018년 가을 학술대회
106 GaN Template Fabrication on Trapezoid Patterned Sapphire Substrate using SOG Mask with Different Buffer Layers
심규연, 정우섭, 조승희, 고현아, 이두원, 안민주, 강성호, 변동진
한국재료학회 2018년 가을 학술대회
105 GaN epitaxial growth using Ion implantaion process on  Patterned Sapphire Substrate.
이두원, 정우섭, 조승희, 고현아, 안민주, 심규연, 변동진
한국재료학회 2018년 봄 학술대회
104 Evaluation of Properties of GaN by Growth Conditions of AlN Buffer Layer Using Mass-Production Sputtering Equipment
Kyu-Yeon Shim, Woo-Seop Jeong, Seung-Hee Cho, Hyun-A Ko, Doo Won Lee, Min Joo Ahn, Dongjin Byun
한국재료학회 2018년 봄 학술대회
103 Photon and Energy Conversion through Atomically Thin Semiconductor Heterojunctions
이철호
한국재료학회 2017년 가을 학술대회
102 Surface analysis of N2 plasma treated sapphire substrate for AlN buffer layer  
정우섭, 김대식, 조승희, 김철, 고현아, 이두원, 안민주, 변동진
한국재료학회 2017년 가을 학술대회