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Effect of InAs/GaAs quantum dot size on infrared photoresponse characteristics
Tien Dai Nguyen, Dong-Bum Seo, Eui-Tae Kim
한국재료학회 2014년 가을 학술대회 |
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Improvement of Light Emission Efficiency of Green InGaN/GaN Multi-Quantum-Well Light-Emitting Diodes with Applying External Tensile Stress
Wael Z. Tawfik, Seo-Jung Bae, Hyo-Won Seo, June Key Lee
한국재료학회 2013년 가을 학술대회 |
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InAs buffer layer의 두께에 따른 (100) Si 기판 위 GaAs/AlGaAs MQW의 특성 분석 (Characteristics of GaAs/AlGaAs MQW on Si (100) with a variation of InAs buffer layer thickness)
오현지, 박성준, 김호성, 최원준, 명재민
한국재료학회 2012년 가을 학술대회 |
| 25 |
Application of Electrostatic Ion Beam Accelerator
송종한, 유병용, 김준곤
한국재료학회 2012년 가을 학술대회 |
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양자점을 이용한 808 nm 파장대역의 고출력 레이저 칩 개발
오현지, 박성준, 김민태, 김호성, 송진동, 최원준, 명재민
한국재료학회 2012년 봄 학술대회 |
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양자구조를 이용한 고출력 레이저 칩 개발
박성준, 오현지, 김민태, 김호성, 송진동, 최원준, 명재민
한국재료학회 2012년 봄 학술대회 |
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Si 기판 상에 성장시킨 AlGaAs/GaAs 다중양자우물의 특성 (Growth and Characteristics of AlGaAs/GaAs Multi Quantum Well on Si)
박성준, 명재민, 최원준, 임주영, 오현지, 김민태
한국재료학회 2011년 봄 학술대회 |
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Fabrication and Optical Characterization of AlGaN/InGaN Multiple Quantum Well Nanopillar Ultar Violet Light Emitting Diodes
윤재식, 김재관, 이지면
한국재료학회 2011년 봄 학술대회 |
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Study on properties of MgxZn1-xO films grown on r-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
한석규, 이효성, 홍순구, 안병준, 송정훈, 정명호, 이주호, 이정용, Takafumi Yao
한국재료학회 2010년 가을 학술대회 |
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InGaN/GaN single quantum well의 광학적 특성 및 전기적 특성의 변화에 미치는 ion beam 조사의 영향 (Influence of ion beam bombardment of sapphire substrate on optical and electrical characteristic of InGaN/GaN single quantum well)
최승규, 장재민, 정우광
한국재료학회 2007년 봄 학술대회 |
