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Cu CMP 공정중의 연마입자 부착력과 마찰력 특성 평가|Frictional behavior and particle adhesion of abrasive particles during Cu CMP
김진영, 김재훈, 홍의관, 강영재, 송재훈, 박진구
한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
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45 nm 테크놀로지와 그 이후를 위한 금속계 나노 박막의 원자층 증착법|ALD of metal nanofilms for 45 nm technology and beyond
김형준
한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
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FeRAM 소자에서 Al 배선 특성에 미치는 공정 영향 평가|Effects of Process Conditions on Al Metallization Properties in FeRAM Device
조경원, 권순용, 염승진, 김남경, 최은석, 선호정, 홍태환, 이영근, 최시경
한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
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고 연마율을 위한 MEMS CMP용 Cu 슬러리의 특성 평가|The Characterization of Cu Slurry with High Removal Rate for MEMS CMP
이진형, 김인권, 임현우, 차남구, 박진구
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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FeRAM 소자 제작 중에 발생하는 Pt/Al 반응에 관한 분석|Characterization of Pt/Al reaction in FeRAM device integration
조경원, 권순용, 염승진, 최시경, 김남경, 최은석, 선호정, 홍태환, 김일호, 이정일, 어순철, 이영근
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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코발트/니켈 복합 실리사이드의 Metal Contact 건식식각 안정성|Dry Etch Stability with Co/Ni Composite Silicide
정영순, 송오성
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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ALD법으로 증착된 실리콘 절연박막의 물리적·전기적 특성|Physical and Electrical Characteristics of Silicon Dielectric Thin Films by Atomic layer Deposition
한창희, 이주현, 김운중, 이원준, 나사균
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
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반도체 소자용 구리 무전해도금 공정에서 팔라듐 촉매의 전처리 조건에 따른 구리박막의 지형학적 선택도의 변화|The Effect of Pd-Activator Conditioning on Topographical Selectivity in Electroless Copper Deposition of Semiconductor Processing
오윤진,김성희,조성민,정찬화|Youn-Jin Oh,sung hee kim,sung min cho,Chan-Hwa Chung
한국화학공학회 2001년 가을 학술대회 |
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CVD법으로 제조된 알루미늄, 구리 및 확산방지막의 증착특성|Aluminum and Copper with the respective barrier CVD
김도형|Do-Heyoung Kim
한국화학공학회 1999년 봄 학술대회 |
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Hexafluoroacetylacetonate Copper(I) Allyltrimethylsilane을 이용한 초고집적 회로용 구리 박막의 유기금속 화학증착|Chemical Vapor Deposition of Copper from Hexafluoroacetylacetonate Copper(I) Allyltrimethylsilane
손종훈, 박만영, 이시우|Jong-Hoon Son, Man-Young Park, Shi-Woo Rhee
한국화학공학회 1997년 가을 학술대회 |
