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저온 산화공정에 의한 실리콘 산화막 제조 및 물성 분석
고천광, 최병욱, 이원규
한국화학공학회 2005년 가을 학술대회 |
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실리콘 웨이퍼 공정에서 in-situ 표면 및 기상특성
소 현, 김영채
한국화학공학회 2003년 가을 학술대회 |
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CHF3 플라즈마에서 다공성 저유전율 물질 식각의 각도 의존성|Angular Dependence of Porous Low-k Material Etch Rate in a CHF3 Plasma
황성욱,이겨레,민재호,문상흡|Sung-Wook Hwang,Gyeo-Re Lee,Jae-Ho Min,Sang Heup Moon
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회 |
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불화탄소 플라즈마 식각시 바닥면으로부터 방출된 입자들이 벽면특성에 미치는 영향|Effects of bottom-emitted particles on the sidewall property in fluorocarbon plasma etching
민재호,황성욱,이겨레,문상흡|Jae-Ho Min,Sung-Wook Hwang,Gyeo-Re Lee,Sang Heup Moon
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회 |
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NF3/Ar ICP를 이용한 SiO2/PR의 선택적 식각|Selective Dry Etching of SiO2 over Photo-resist using NF3/Ar Inductively Coupled Plasma
박형조, 한윤봉|Hyung Jo Park, Yoon Bong Hahn
한국화학공학회 2002년 봄 학술대회 |
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ECR플라즈마를 이용한 화학증착법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 전기적특성|Electrical Characteristics of Silicon Oxide Films Prepared by Chemical Vapor Deposition Method Using ECR Plasma
전법주, 허정수, 오인환*, 임태훈*, 윤용수, 정일현|Bup-Ju Jeon, Jung-Soo Heo, In-Hwan Oh*, TaeHoon Lim*, Yong-Soo Youn, Il-Hyun
한국화학공학회 1996년 가을 학술대회 |
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실리콘의 Orientetion이 산소 플라즈마에 의해 제조된 실리콘 산화막의 전기적 특성에 미치는 영향|Effect of Silicon Orientation on the Electrical Properties of SiO2 Using Oxygen Plasma
허정수, 전법주, 오인환*, 임태훈*, 정일현|Jung-Soo Heo, Bup-Ju Jeon, In-Hwan Oh*, Tae Hoon Lim*and Il-Hyun Jung
한국화학공학회 1996년 가을 학술대회 |
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ECR 플라즈마를 이용한 화학증착법및 건식산화법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 특성
전법주, 허정수, 오인환, 임태훈, 윤용수, 정일현
한국화학공학회 1996년 봄 학술대회 |
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ECR 산소 플라즈마를 사용한 실리콘 산화막의 제조
허정수, 전법주, 오인환, 임태훈, 윤용수, 정일현
한국화학공학회 1996년 봄 학술대회 |
