화학공학소재연구정보센터
번호 제목
8 Effects of CeO2 on the Piezoelectric Properties of PSN-PMN-PZT Composition Under Various Alternating Electric Fields
최용길, 윤만순, 이승환, 권준철, 이경선, 허성무, 어순철
한국재료학회 2006년 봄 학술대회
7 수소 식각을 이용한 4H-SiC 표면 처리 연구
이승현, 이경선, 남기석
한국화학공학회 2003년 가을 학술대회
6 기판의 표면처리를 이용한 6H-SiC 단결정 동종 성장 연구
이승현, 이경선, 남기석
한국화학공학회 2003년 봄 학술대회
5 촉매를 이용한 탄화규소 나노와이어의 성장 및 특성연구|Growth and Characterization of SiC Nanowires Using Catalyst
모영환,이경선,사자한,남기석|Young Hwan Mo,Kyung Sun Lee,Md. Shajahan,Kee Suk Nahm
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회
4 나노소자 구현을 위한 전장을 이용한 나노와이어 조립 및 특성 연구|Assembly and Characterization of Nanowires using Electric-field for Nano-devices Fabrication
이승현,모영환,이경선,김태윤,심현욱,서은경,남기석|Seung Hyun Lee,Young Hwan Mo,Kyung Sun Lee,Tae Yun Kim,Hyun-Wook Shim,Eun-Kyung Suh,Kee Suk Nahm
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회
3 수소 식각과 CMP 공정에 의한 on-axis 6H-SiC 표면의 step 형성연구|Step Formation on on-axis 6H-SiC surface using H2 Etching and CMP Processes
이경선,김광철,노재일,이승현,남기석|Kyung-Sun Lee,Kwang Chul Kim,Jae Il Noh,Seung Hyun Lee,Kee Suk Nahm
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회
2 6H-SiC 기판 표면의 수소 식각에 의한 Step 제어와 결정 박막의 동종 핵 성장 연구|Surface step control of 6H-SiC wafer using Hydrogen etching and homoepitaxial growth of the single crystalline
이경선, 노재일, 이승현, 남기석|Kyung Sun Lee, Jae Il Roh, Seng Hyun Lee, Kee Suk Nahm
한국화학공학회 2002년 봄 학술대회
1 SiC/Si 기판 위에 3C-SiC 결정 박막의 Homoepitaxy 성장 연구|Homoepitaxial Growth of 3C-SiC(100) thin film on SiC/Si Substrate
노재일,이경선,김광철,남기석|Jae Il Roh,Kyung Sun Lee,Kwang Chul Kim,Kee Suk Nahm
한국화학공학회 2001년 가을 학술대회