화학공학소재연구정보센터
번호 제목
18 MOCVD를 이용한 InGaN/GaN 기반 발광다이오드 구조 제작과 발광다이오드에의 응용
주진우, 강은실, 백종협, 이인환
한국재료학회 2007년 봄 학술대회
17 Well protection layer as a novel pathway to increase indium composition: a route towards green emission from blue InGaN/GaN multiple quantum well
Jin-Woo Ju, Lee-Woon Jang, Hwa-Soo Kim, Haeng-Keun Ahn, In-Hwan Lee
한국재료학회 2007년 봄 학술대회
16 A research of properties of p-GaN layers after rapid thermal annealing (RTA) treatment
Jihye Kim, Jaehong Choi, Donggun Lee, Junggeun Jhin, Dongjin Byun
한국재료학회 2006년 가을 학술대회
15 Fabrication of High Relative Quantum Efficiency Electroluminescence Devices Prepared by Spin Self-assembly Method
김호섭, 조진한, 김동영, 차국헌
한국고분자학회 2004년 봄 학술대회
14 MOCVD를 이용한 GaN 나노튜브 및 나노와이어의 제조 및 특성 연구|Study on the fabrication and characterization of GaN nano-tube and nano-wire using MOCVD
정세혁, 정우광
한국재료학회 2004년 가을 학술대회
13 Electrical and Optical Properties of InGaN/GaN Quantum Well Light-Emitting Diodes with N-GaN Layer
최락준, 이형재, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 가을 학술대회
12 Recovery of Electrical Properties by Surface Treatment after Mesa Etching in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes
강형곤, 최락준, 한명수, 윤창주, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 가을 학술대회
11 AlInGaN - based multiple quantum well laser diodes for Blu-ray Disc application|AlInGaN - based multiple quantum well laser diodes for Blu-ray Disc application
O. H. Nam, K. H. Ha, J. S. Kwak, S. N. Lee, K. K. Choi, T. H. Chang, S. H. Chae, W. S. Lee, Y. J. Sung, H. S. Paek, J. H. Chae, T. Sakong, Y. Kim, Y. Park
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
10 Improvement in LED structure for enhanced light-emission|Improvement in LED structure for enhanced light-emission
Seong-Ju Park
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
9 InGaN/GaN QW 발광 다이오드의 전기적 성질에 대한 도펀트 농도의 효과
강형곤, 최락준, 이형재, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 봄 학술대회