| 번호 | 제목 |
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Hydride VPE 법에 의한 GaN 박막성장|Growth of thin film GaN by Hydride VPE Technique 여석기, 박진호|Seokki Yeo, Chinho Park 한국화학공학회 1999년 봄 학술대회 |
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화학기상증착반응기에서 금속 갈륨(Ga)과 암모니아(NH3)의 직접반응에 의한 thick GaN 성장과 특성연구|Growth and Characterization of thick GaN film by the direct reaction of metal Ga and NH3 in CVD reactor 양승현, 안상현, 남기석|Seung Hyun Yang, Sang Hyun Ahn, Kee Suk Nahm 한국화학공학회 1999년 봄 학술대회 |
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GaAs 기판표면의 질화 및 GaN 박막 성장|Nitridation of GaAs substrate and GaN thin film growth 모영환, 심현욱, 김선중, 서영훈, 남기석|Y. H. Mo, H. W. Shim, S. J. Kim, Y. H. Seo, K. S. Nahm 한국화학공학회 1998년 봄 학술대회 |
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MOCVD를 이용한 GaN박막 성장 및 특성 연구|Growth and Characterization of GaN film grown by MOCVD 양승현, 김선중, 심현욱, 서영훈, 남기석|S. H. Yang, S. J. Kim, H. W. Shim, Y. H. Seo, K. S. Nahm 한국화학공학회 1998년 봄 학술대회 |
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Chloride VPE (CVPE) 법을 이용한 GaN 증착공정의 열역학적 해석|Thermodynamic Analysis of GaN Deposition Process using Chloride VPE (CVPE) Technique 신희섭, 신무환, 박진호|Heesub Shin, Moo-Whan Shin, Chinho Park 한국화학공학회 1998년 봄 학술대회 |
