화학공학소재연구정보센터
번호 제목
24 Si(100) 기판 위에 성장된 3C-SiC(100)의 특성 연구|The Characterization of SiC(100) Grown on Si(100) Substrate
김광철, 박찬일, 노재일, 남기석|K. C. Kim1, C. I. Park, J. I Roh.K. S. Nahm
한국화학공학회 2000년 봄 학술대회
23 FB-CVI에 의한 SiC증착된 복합체 제조시 변수의 영향 연구|Studies on the Effect of Variables on the Fabrication Composite with SiC by FB-CVI
이성주, 김미현, 장재동, 정귀영|Sung-Joo Lee, Mi-Hyun Kim, Jae-Dong Chang, Gui-Young Chung
한국화학공학회 1999년 가을 학술대회
22 마이크로파와 촉매를 이용한 에탄의 에틸렌 전환|Conversion of Ethylene from Ethane by using Microwaves and Catalyst
김동국, 김경진, 조순행, 이우태|Kyoung-Jin Kim, Dong-Kook Kim, Sun-Hang Cho, Woo-Tae Lee
한국화학공학회 1999년 봄 학술대회
21 CVD을 이용한 실리콘카바이드(SiC) 반도체의 속도론적 연구|The Kinetic Study on Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide Semiconductor
남기석, 김광철|Kee Suk Nahm, Kwang Chul Kim
한국화학공학회 1999년 봄 학술대회
20 ’Wet Colloid 방법’을 이용한 투명한 SiC 박막의 제조|Preparation and Characterization of transparent SiC thin films through wet colloid method
조규진, 문일식|Gyoujin Cho, Il-Shik Moon
한국화학공학회 1999년 봄 학술대회
19 유동층반응기에서 화학증기침투에 의한 탄소/탄화규소의 복합체 제조|The Fabrication of Composites of C/SiC by Chemical Vapor Infiltration in a Fludized Bed Reactor
이성주, 김미현, 정귀영|Sung-Joo Lee, Mi-Hyun Kim, Gui-Yung Chung
한국화학공학회 1999년 봄 학술대회
18 CVI에 의한 SiC증착된 고표면적의 촉매지지체 제조|Preparation of the high surface area catalyst support deposited with SiC by CVI
김영준, 이성주, 장재동, 정귀영|Young-Joon Kim, Sung-Joo Lee, Jae-Dong Chang, Gui-Yung Chung
한국화학공학회 1998년 가을 학술대회
17 FB-CVI에 의한 탄화규소의 촉매지지체 제조|The Fabrication of Catalyst Support of Silicon Carbide by FB-CVI
이성주, 김영준, 김미현, 정귀영|Sung-Joo Lee, Young-Joon Kim, Mi-Hyun Kim, Gui-Yung Chung
한국화학공학회 1998년 가을 학술대회
16 질화처리된 실리콘 기판 위에 성장된 β-SiC(111)의 특성연구|The characterization of β-SiC(111) grown on nitrided silicon substrate
김광철, 심현욱, 남기석|K. C. Kim, H. W. Shim, K. S. Nahm
한국화학공학회 1998년 봄 학술대회
15 폴리카보실란 전구체를 이용한 SiC세라믹 제조|The Processing of SiC Ceramics using Polycarbosilane Precusor
김진구, 이명천|Jin-Goo Kim, Myung-Cheon Lee
한국화학공학회 1998년 봄 학술대회