| 666 |
UV-Laser-Annealed Flexible Resistive Random-Access Memory (RRAM)
한승우, 신무환
한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
| 665 |
원자층 증착 공정의 증착 온도에 따른 Hf0.5Zr0.5O2 박막의 분극 반전 특성에 대한 영향
이동현, 박민혁
한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
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Enhanced percolation of switchable metallic domain in metal-nanoparticle-embedded Mott switches
조민국, 손준우
한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
| 663 |
Development of a Basic Model for Cerium Oxide Based Interfacial Switching Memory Device Using Finite Element Method.
Sagar Khot, 정동명, 권용우
한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
| 662 |
Fiber-GeS2-Fiber Structure OTS Device for Wearable ReRAM Devices
Donghun Shim, Taeyoon Lee
한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
| 661 |
Wearable motion sensor knitted with Aluminum coated yarn and Carbon fiber
장준혁, 김수지, 박승준, 이종한, 인창민, 이미정
한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
| 660 |
Resistance Distribution Statistic and Scalability of Geometry in Phase Change Memory by Intergrating Electro-thermal and Phase-Field Models
HoThiThuTrang, Yongwoo Kwon
한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
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Modeling of Full Cycle of VCM-based Resistive Memory Using Finite Element Method
정동명, 권용우
한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
| 658 |
Observation of resistive switching properties in Sb2Se3 through morphological manipulation.
양지웅, 정윤성, 이상한
한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
| 657 |
Electrochemically deposited Cu2O double layer: Application to a Switching Layer for ReRAM
서희원, 조형균, 김동수, 최지훈, 이학현
한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
