화학공학소재연구정보센터
번호 제목
8 삼각형 양자우물 구조로 성장한 InGaN/GaN 발광 다이오드의 전기적·광학적 특성 향상
최락준, 이형재, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 봄 학술대회
7 n-전극 위치에 따른 InGaN/GaN 다중 양자우물 발광 다이오드의 전기적·광학적 특성
최락준, 한명수, 강형곤, 이 석, 이형재, 한윤봉
한국화학공학회 2003년 봄 학술대회
6 Study of the Polymer Deformation in Hot Embossing Process : The effect of Melt Flow Rate on Polymer Deformation
윤근병;정명영
한국고분자학회 2003년 봄 학술대회
5 InGaN/GaN 다중 양자우물 발광 다이오드의 플라즈마 식각 손상 특성|Plasma-Induced Etch Damage of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes
최락준,최창선,박형조,한윤봉|Rak-Jun Choi,Chang-Sun Choi,Hyung-Jo Park,Yoon-Bong Hahn
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회
4 식각 손상된 InGaN/GaN 다중 양자우물 발광 다이오드의 전기적 특성 회복|Improvement of Etch-Damaged Electrical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes
최락준,박형조,최창선,한윤봉|Rak-Jun Choi,Hyung-Jo Park,Chang-Sun Choi,Yoon-Bong Hahn
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회
3 p-GaN층에 따른 InGaN/GaN 다중 양자우물 발광 다이오드의 전기.광학적 특성|Effects of p-GaN Layer on Electrical and Optical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes
최락준,한윤봉|Rak-Jun Choi,Yoon-Bong Hahn
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회
2 나노 크기의 InGaN/GaN 다층양자우물 LED의 제조|Fabrication of Nano Multiple Quantum Well InGaN/GaN Light-Emitting Diodes
한윤봉|Y. B. Hahn
한국화학공학회 2002년 봄 학술대회
1 InGaN/GaN 다층양자우물 LED구조의 Cl2/Ar ICP 식각|Inductively Coupled Cl2/Ar Plasma Etching of InGaN/GaN Multiple Quantum well Light-Emitting Diode Structure
박형조, 최창선, 최락준, 홍주형, 한윤봉|H. J. Park, C. S. Choi, R. J. Choi, J. H. Hong, Y. B. Hahn
한국화학공학회 2002년 봄 학술대회