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번호	제목
172	Growth of single crystal ZnSnN₂ films on a single crystal ZnO Buffer Layer Duc Duy Le, Trong Si Ngo, Jeong-kuk Lee, Soon-Ku Hong 한국재료학회 2017년 가을 학술대회
171	Epitaxy growth of α-Ga₂O₃films on A-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy Trong Si Ngo, Duc Duy Le, Soon-Ku Hong 한국재료학회 2017년 가을 학술대회
170	Single crystal α-Ga2O3 epitaxial growth using hydride vapor phase epitaxy 박준성, 이대장, 노호균, 이수행, 문영부, 이상현, 하준석 한국재료학회 2017년 가을 학술대회
169	Method of the high efficiency of reflection GaN layer for the lighting emitting diode structure including GaN/AlGaN films for the distributed bragg reflector. 안민주, 김대식, 정우섭, 조승희, 김철, 고현아, 이두원, 변동진 한국재료학회 2017년 가을 학술대회
168	Pt-Al₂O₃ meta nnanolayer for TPV cell emitter 김영석, 박보영, 박금환, 주병권 한국화학공학회 2017년 가을 학술대회
167	Enhanced light output power of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with nano-patterned AlN/sapphire substrates 이동현, 이종원, 장정환, 신인수, 김로, 박준혁, 김종명, 김정섭, 이진섭, 노혜석, 김용일, 박영수, 이건도, 박용조, 김종규, 윤의준 한국재료학회 2017년 봄 학술대회
166	Selective area growth of GaN layer on partially crystallized alumina cavity pattern on sapphire substrate 장정환, 이승민, 박용조, 윤의준 한국재료학회 2017년 봄 학술대회
165	사파이어 기판의 플라즈마 전처리가 AlN 버퍼층을 사용한 GaN template에 미치는 영향 정우섭, 김대식, 조승희, 박준성, 변동진 한국재료학회 2017년 봄 학술대회
164	Formation of Air Void on Patterned Sapphire Substrate for High Light Extraction Efficiency. 박준성, 김대식, 정우섭, 조승희, 고현아, 변동진 한국재료학회 2017년 봄 학술대회
163	GaN template growth with air void for improvement light extraction efficiency of light emitting diode 김대식, 정우섭, 조승희, 박준성, 고현아, 변동진 한국재료학회 2017년 봄 학술대회