화학공학소재연구정보센터
번호 제목
5 Effect of Oxygen Annealing in Resistive Switching of MnOx thin films
Min Kyu Yang, Jae-Wan Park, Tae Kuk Ku, Jeon-KooK Lee
한국재료학회 2008년 봄 학술대회
4 Unipolar and bipolar resistive switching of nonstoichiometric TiOx thin films
김완기, 이시우
한국재료학회 2007년 가을 학술대회
3 Pt/Si 구조의 상부전극을 사용한 TiO2 박막의 저항 변화 현상과 후 열처리를 통한 메모리 특성 개선에 관한 연구
고승희, 이재갑
한국재료학회 2007년 가을 학술대회
2 ReRAM 응용을 위한 NiO 박막의 저항 변화 특성|Reproducible Resistance Switching in NiO Films for ReRAM Applications
Jae-Wan Park, Jong-Wan Park, Min Kyu Yang, Kyuho Jung, Dal-Young Kim, Jeon-Kook Lee
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
1 TiO2 박막의 다층 증착에 의한 Re-RAM 특성 변화|Characterization of TiO2 deposited layer by layer for Re-RAM
김경래, 이태호, 박인성, 고한경, 안진호
한국재료학회 2005년 봄 학술대회