화학공학소재연구정보센터
번호 제목
2 MTS를 소스로 이용한 고온화학기상증착법에 의한 SiC 단결정 성장
유창형, 강유라, 이명현, 서원선, 정성민
한국재료학회 2017년 봄 학술대회
1 Single crystal growth of SiC through high temperature chemical vapor deposition method using methyltriclorosilane
유창형, 강유라, 남덕희, 김준규, 이명현, 서원선, 정성민, 양철웅
한국재료학회 2015년 봄 학술대회