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AlGaN/GaN 이종접합구조의 향상된 전기적 특성을 위한 성장 조건|Growth Condition for Improved Electrical Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructures
최재홍, 강호재, 박현규, 이도한, 진정근, 변동진
한국재료학회 2005년 가을 학술대회 |
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플라즈마 기상 증착법에 의한 보론카바이드 박막의 RF 변화에 따른 효과|Effect of Boron carbide thin films with RF power by plasma enhanced chemical vapor deposition
연대흠, 진정근, 김길영, 강호재, 박현규, 변동진
한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
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MOCVD를 이용하여 sapphire(0001)에 성장한 Al 함량에 따른 AlGaN/GaN의 특성|Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD
박현규, 강호재, 진정근, 연대흠, 최재홍, 김지원, 변동진
한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
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다양한 이온 주입에 의해 전처리한 사파이어(0001) 기판에 성장시킨 GaN 에피층의 열처리 효과|Aannealing effects of pre-treated sapphire(0001) substrate using various ion-implantation for GaN epilayers growth
이재석, 진정근, 강호재, 박현규, 노대호, 변동진, 고의관
한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
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GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 열처리 효과|Thermal Annealing Effects of Ion Implanted Sapphire(0001) Substrate for GaN
강호재, 진정근, 이재석, 박현규, 연대흠, 노대호, 변동진, 고의관, 이재상, 이재형
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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CVD법으로 제작한 (1-x)Ta2O5–xTiO2 박막의 열처리 온도에 따른 특성변화|Characteristics of (1-x)Ta2O5–xTiO2 thin film at various annealing temperature by CVD
강필규, 진정근, 강호재, 노대호, 안재우, 변동진
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
