화학공학소재연구정보센터
번호 제목
7 반구 형태로 패턴된 사파이어 기판을 이용한 외부양자효율 개선|Improvement of External Quantum Efficiency Using Hemisphere Patterned Sapphire Substrate
이종재, 김상묵, 김광철, 이상헌, 전성란, 이승재, 김윤석, 백종협, 신동찬
한국재료학회 2005년 가을 학술대회
6 수소 식각과 CMP 공정에 의한 on-axis 6H-SiC 표면의 step 형성연구|Step Formation on on-axis 6H-SiC surface using H2 Etching and CMP Processes
이경선,김광철,노재일,이승현,남기석|Kyung-Sun Lee,Kwang Chul Kim,Jae Il Noh,Seung Hyun Lee,Kee Suk Nahm
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회
5 SiC/Si 기판 위에 3C-SiC 결정 박막의 Homoepitaxy 성장 연구|Homoepitaxial Growth of 3C-SiC(100) thin film on SiC/Si Substrate
노재일,이경선,김광철,남기석|Jae Il Roh,Kyung Sun Lee,Kwang Chul Kim,Kee Suk Nahm
한국화학공학회 2001년 가을 학술대회
4 Si 기판 위에 성장한 SiC 박막의 반응속도론적 연구|The Reaction Kinetics in the Growth of SiC Thin Film on Si
남기석, 김광철, 서영훈|Kee Suk Nahm, Kwang Chul Kim, Young Hun Seo
한국화학공학회 2000년 봄 학술대회
3 Si(100) 기판 위에 성장된 3C-SiC(100)의 특성 연구|The Characterization of SiC(100) Grown on Si(100) Substrate
김광철, 박찬일, 노재일, 남기석|K. C. Kim1, C. I. Park, J. I Roh.K. S. Nahm
한국화학공학회 2000년 봄 학술대회
2 CVD을 이용한 실리콘카바이드(SiC) 반도체의 속도론적 연구|The Kinetic Study on Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide Semiconductor
남기석, 김광철|Kee Suk Nahm, Kwang Chul Kim
한국화학공학회 1999년 봄 학술대회
1 질화처리된 실리콘 기판 위에 성장된 β-SiC(111)의 특성연구|The characterization of β-SiC(111) grown on nitrided silicon substrate
김광철, 심현욱, 남기석|K. C. Kim, H. W. Shim, K. S. Nahm
한국화학공학회 1998년 봄 학술대회