| 번호 | 제목 |
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AlGaN/GaN 이종접합구조의 Al 함량에 따른 I-V 특성.|I-V property of hetero-structure AlGaN/GaN as Al contents growth on the sapphire(0001) by MOCVD. 박현규, 진정근, 연대흠, 최재홍, 권영석, 이종한, 변동진 한국재료학회 2005년 가을 학술대회 |
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플라즈마 기상 증착법에 의한 보론카바이드 박막의 RF 변화에 따른 효과|Effect of Boron carbide thin films with RF power by plasma enhanced chemical vapor deposition 연대흠, 진정근, 김길영, 강호재, 박현규, 변동진 한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
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MOCVD를 이용하여 sapphire(0001)에 성장한 Al 함량에 따른 AlGaN/GaN의 특성|Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD 박현규, 강호재, 진정근, 연대흠, 최재홍, 김지원, 변동진 한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
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GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 열처리 효과|Thermal Annealing Effects of Ion Implanted Sapphire(0001) Substrate for GaN 강호재, 진정근, 이재석, 박현규, 연대흠, 노대호, 변동진, 고의관, 이재상, 이재형 한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
