화학공학소재연구정보센터
번호 제목
3 MTS를 소스로 이용한 고온화학기상증착법에 의한 SiC 단결정 성장
유창형, 강유라, 이명현, 서원선, 정성민
한국재료학회 2017년 봄 학술대회
2 Single crystal growth of SiC through high temperature chemical vapor deposition method using methyltriclorosilane
유창형, 강유라, 남덕희, 김준규, 이명현, 서원선, 정성민, 양철웅
한국재료학회 2015년 봄 학술대회
1 Design of high temperature chemical vapor deposition reactor to reduce the effect of the condensation of the exhaust gas in the outlet
윤지영, 김병근, 남덕희, 유창형, 이명현, 서원선, 정성민, 설용건, 이원재
한국재료학회 2015년 봄 학술대회