화학공학소재연구정보센터
번호 제목
4 단결정 실리콘 박막을 이용한 OLED 제작 및 특성 평가|OLED fabricated on a thin single crystalline silicon film
윤태훈, 이곤섭, 박재근
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
3 수소이온주입 도즈량 및 어닐링 조건에 따른 dislocation 밀도 변화에 대한 고찰|Effect of Hydrogen Implantation Dose and Annealing Condition on Dislocation Density
나정수, 석동방, 김재한, 이곤섭, 박재근
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
2 초크랄스키 실리콘 단결정 성장시 단결정 성장 시뮬레이션을 이용한 dynamic heat-flux 특성에 관한 연구|Dynamic Heat-Flow Characteristics in Czochralski Silicon-Ingot Growth by Numerical Simulation
박준원, 한인규, 이곤섭, 박재근
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
1 Strained Si를 만들기 위한 SiGe layer 형성에 temperature, GeH4 gas pre-flow, gas ratio가 미치는 영향|Effect of temperature, GeH4 gas pre-flow, gas ratio on formation of SiGe layer for strained Si
안상준, 이곤섭, 박재근
한국재료학회 2003년 가을 학술대회