| 번호 | 제목 |
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| 7 |
Etch mechanism of Si3N4 in a C4F6/Ar/O2/CH2F2 plasma 조성운, 김준현, 김창구 한국화학공학회 2015년 봄 학술대회 |
| 6 |
Effect of gas composition on the angular dependence of SiO2 etch rates in fluorocarbon plasmas 박정근, 김준현, 조성운, 김창구 한국화학공학회 2015년 봄 학술대회 |
| 5 |
Effect of F/C ratio in discharge gases on the angular dependence of etch rates of SiO2 조성운, 김창구 한국화학공학회 2014년 봄 학술대회 |
| 4 |
Fabrication of three dimensional Cu nanostructures 조성운, 김창구 한국화학공학회 2012년 봄 학술대회 |
| 3 |
Effect of CH2F2 addition on angular dependence of SiO2 etching in a C4F6/O2/Ar plasma 조성운, 김창구 한국화학공학회 2010년 가을 학술대회 |
| 2 |
고밀도 CHF3 플라즈마 식각에서 바이어스 전압과 이온의 입사각에 따른 photoresist의 식각 속도와 SiO2에 대한 식각 선택도의 변화 강세구, 민재호, 이진관, 문상흡 한국화학공학회 2005년 가을 학술대회 |
| 1 |
CHF3 플라즈마에서 다공성 저유전율 물질 식각의 각도 의존성|Angular Dependence of Porous Low-k Material Etch Rate in a CHF3 Plasma 황성욱,이겨레,민재호,문상흡|Sung-Wook Hwang,Gyeo-Re Lee,Jae-Ho Min,Sang Heup Moon 한국화학공학회 2002년 가을 학술대회 |
