| 번호 | 제목 |
|---|---|
| 4 |
The Effects of Annealing on the Electrical Characteristics of In0.53Ga0.47As MOS Device 채명균, 김소현, 구본철, 최창환 한국재료학회 2018년 가을 학술대회 |
| 3 |
NH3 Pre-Plasma Treatment to Reduce Interface State Density of GaN MOS Device 정우석, 임동환, 김영진, 한훈희, 손석기, Andrey Sokolov Sergeevich, 이재호, 최창환 한국재료학회 2016년 봄 학술대회 |
| 2 |
Growth characteristics and electrical properties of Y2O3 and Y doped HfO2 by atomic layer deposition 이재승, 김민규, 오일권, 김형준 한국재료학회 2012년 가을 학술대회 |
| 1 |
S-termination된 Ge(100)표면에 증착된 ALD HfO2 특성 임경택, 이영환, 윤미현, 임상우 한국화학공학회 2009년 봄 학술대회 |
