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Fabrication of gallium nitride on AlN buffer layer with hole pattern mask using lift off method 김효종, 정우섭, 안민주, 심규연, 강성호, 변동진 한국재료학회 2021년 봄 학술대회 |
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Study on the characteristics of AlN buffer layer deposited with RF-Magnetron sputter for GaN growth 강성호, 정우섭, 안민주, 심규연, 김효종, 변동진 한국재료학회 2021년 봄 학술대회 |
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Temperature dependence of AlN buffer layer deposited on Si substrate 강성호, 정우섭, 조승희, 안민주, 심규연, 변동진 한국재료학회 2019년 가을 학술대회 |
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The research of the GaN epi-growth by the AlN buffer layer deposition condition 안민주, 정우섭, 조승희, 이두원, 심규연, 강성호, 변동진 한국재료학회 2019년 봄 학술대회 |
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Evaluation of Properties of GaN by Growth Conditions of AlN Buffer Layer Using Mass-Production Sputtering Equipment Kyu-Yeon Shim, Woo-Seop Jeong, Seung-Hee Cho, Hyun-A Ko, Doo Won Lee, Min Joo Ahn, Dongjin Byun 한국재료학회 2018년 봄 학술대회 |
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Surface analysis of N2 plasma treated sapphire substrate for AlN buffer layer 정우섭, 김대식, 조승희, 김철, 고현아, 이두원, 안민주, 변동진 한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |
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사파이어 기판의 플라즈마 전처리가 AlN 버퍼층을 사용한 GaN template에 미치는 영향 정우섭, 김대식, 조승희, 박준성, 변동진 한국재료학회 2017년 봄 학술대회 |
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Characteristics of Sputtered AlN Buffer Layer as Function of N2 Partial Pressure on Patterned Sapphire Substrate 박준성, 김대식, 정우섭, 조승희, 김철, 변동진 한국재료학회 2016년 가을 학술대회 |
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Influence of AlN Buffer Layer Crystallinity on the Properties of GaN Epilayer on Sapphire by MOCVD 김대식, 정우섭, 조승희, 김철, 변동진 한국재료학회 2016년 봄 학술대회 |
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Growth Behavior of GaN on Patterned Sapphire Substrate Using Sputtered AlN Buffer layer 정우섭, 김대식, 배선호, 정서주, 이지은, 박준성, 조승희, 변동진 한국재료학회 2015년 봄 학술대회 |