화학공학소재연구정보센터
번호 제목
18 Fabrication of gallium nitride on AlN buffer layer with hole pattern mask using lift off method  
김효종, 정우섭, 안민주, 심규연, 강성호, 변동진
한국재료학회 2021년 봄 학술대회
17 Study on the characteristics of AlN buffer layer deposited with RF-Magnetron sputter for GaN growth
강성호, 정우섭, 안민주, 심규연, 김효종, 변동진
한국재료학회 2021년 봄 학술대회
16 Temperature dependence of AlN buffer layer deposited on Si substrate
강성호, 정우섭, 조승희, 안민주, 심규연, 변동진
한국재료학회 2019년 가을 학술대회
15 The research of the GaN epi-growth by the AlN buffer layer deposition condition
안민주, 정우섭, 조승희, 이두원, 심규연, 강성호, 변동진
한국재료학회 2019년 봄 학술대회
14 Evaluation of Properties of GaN by Growth Conditions of AlN Buffer Layer Using Mass-Production Sputtering Equipment
Kyu-Yeon Shim, Woo-Seop Jeong, Seung-Hee Cho, Hyun-A Ko, Doo Won Lee, Min Joo Ahn, Dongjin Byun
한국재료학회 2018년 봄 학술대회
13 Surface analysis of N2 plasma treated sapphire substrate for AlN buffer layer  
정우섭, 김대식, 조승희, 김철, 고현아, 이두원, 안민주, 변동진
한국재료학회 2017년 가을 학술대회
12 사파이어 기판의 플라즈마 전처리가 AlN 버퍼층을 사용한 GaN template에 미치는 영향
정우섭, 김대식, 조승희, 박준성, 변동진
한국재료학회 2017년 봄 학술대회
11 Characteristics of Sputtered AlN Buffer Layer as Function of N2 Partial Pressure on Patterned Sapphire Substrate
박준성, 김대식, 정우섭, 조승희, 김철, 변동진
한국재료학회 2016년 가을 학술대회
10 Influence of AlN Buffer Layer Crystallinity on the Properties of GaN Epilayer on Sapphire by MOCVD
김대식, 정우섭, 조승희, 김철, 변동진
한국재료학회 2016년 봄 학술대회
9 Growth Behavior of GaN on Patterned Sapphire Substrate Using Sputtered AlN Buffer layer
정우섭, 김대식, 배선호, 정서주, 이지은, 박준성, 조승희, 변동진
한국재료학회 2015년 봄 학술대회