화학공학소재연구정보센터
번호 제목
11 Characteristics of SiNx thin films by Remote Plasma Atomic Layer Deposition using DTDN2-H2 precursor
임경필, 전형탁, 김현준, 정찬원, 조해원
한국재료학회 2018년 가을 학술대회
10 9Remote plasma ALD of Silicon nitride at low temperature for gate spacer
김만석, 장우출, 김현정, 이재민, 이건영, 신창희, 권영균, 임희우, 전형탁
한국재료학회 2016년 가을 학술대회
9 습식 에칭한 MoNi/Cu기반 다층 전극 구조를 적용한 IGZO 박막 트랜지스터
윤대호, 김다은, 조형균
한국재료학회 2016년 가을 학술대회
8 MACE를 이용한 Germanium 표면처리 특성 연구
이승효, 서동완, 임상우
한국화학공학회 2016년 봄 학술대회
7 SiO2 passivation layer 증착 공정에 따른 a-IGZO 박막의 특성 변화 분석 (The analysis of properties variation in a-IGZO thin film according to the deposition process of SiO2 passivation layer)
명재민, 이수정, 김윤철, 장건
한국재료학회 2015년 가을 학술대회
6 Etch mechanism of Si3N4 in a C4F6/Ar/O2/CH2F2 plasma
조성운, 김준현, 김창구
한국화학공학회 2015년 봄 학술대회
5 3D feature profile simulation for fluorocarbon plasma etching processes
육영근, 조덕균, 유동훈, 장원석, 권득철, 김진태, 윤정식, 임연호
한국화학공학회 2011년 가을 학술대회
4 Angular dependence of SiO2 etch rates in C4F6/Ar/O2 and C4F6/Ar/O2/CH2F2 plasmas
조성운, 김창구
한국화학공학회 2010년 봄 학술대회
3 Investigation of Silicon Nitride Thin Films Prepared by Atomic Layer Deposition Using Si2Cl6 and NH3 as the Precursors
윤원덕, 나사균, 박광철, 최병준, 이원준, 서정혜, 이연승, 김헌도, 박상기
한국재료학회 2008년 봄 학술대회
2 CeO2 완충층을 이용한 SrBi2Ta2O9 박막의 식각 정지 특성|Etch Stop Characteristics of SrBi2Ta2O9 Thin Film by Using CeO2 Buffer Layer
권영석, 심선일, 김용태, 최인훈
한국재료학회 2005년 봄 학술대회