| 번호 | 제목 |
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Electrical Properties of Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition HfO2/HfOxNy/HfO2 Gate Oxide 맹완주, 김형준 한국재료학회 2008년 가을 학술대회 |
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Analysis of Reaction Mechanism as a function of H2+N2 Plasma Composition by hafnium nitride thin films 정 훈, 김연홍, 김도형 한국화학공학회 2006년 가을 학술대회 |
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원거리 플라즈마 ALD(Atomic Layer Deposition)법으로 증착한 ZrN 확산방지막의 특성에 관한 연구|Characteristics of ZrN deffusion barrier deposited by remote plasma enhanced atomic layer deposition method 황윤철, 조승찬, 김인배, 김양도, 김주연, 전형탁 한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
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Preparation of HfN Thin Film by Plasma Assisted Atomic Layer Deposition using tetrakis(dimethylamino)hafnium 김은정, 김도형 한국화학공학회 2004년 봄 학술대회 |
