화학공학소재연구정보센터
번호 제목
58 Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의해 성장된  BaIn2S4 단결정 박막 의 광학적 특성
유상하, 홍광준
한국재료학회 2016년 봄 학술대회
57 Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 AgGaS2 단결정 박막 성장과 광발광을 이용한 이온화 에너지 연구
이기정, 홍광준
한국재료학회 2014년 가을 학술대회
56 Temperature dependent photocurrent in type BaIn2Se4 layers
Kwangjoon Hong
한국재료학회 2014년 봄 학술대회
55 Phonon energy properties for CdS/GaAs Epilayers
Kwangjoon Hong
한국재료학회 2014년 봄 학술대회
54 Optimum  growth condition characteristic of BaIn2Se4 epilayers grown using hot wall epitaxy method
Kwangjoon Hong
한국재료학회 2014년 봄 학술대회
53 Optimum growth condition properties of the photoconductive ZnAl2Se4  
Kwangjoon Hong
한국재료학회 2014년 봄 학술대회
52 뜨거운 곁쌓기 법에 의해 성장된 MgGa2Se4 단결정 박막의 광발광 특성
유상하, 홍광준
한국재료학회 2014년 봄 학술대회
51 Growth and photocurrent-response study for valence-band splitting of the photoconductive AgGaSe2 layers
You Sangha, Hong Kwangjoon
한국재료학회 2012년 가을 학술대회
50 Study on origin of point defect for CuGaSe2 thin film by hot wall epitaxy
홍광준
한국재료학회 2012년 봄 학술대회
49 Investigation free exciton emission energy on the PL spectra of  CdS/GaAs epilayers  
홍광준
한국재료학회 2012년 봄 학술대회