| 번호 | 제목 |
|---|---|
| 4 |
The Effects of Annealing on the Electrical Characteristics of In0.53Ga0.47As MOS Device 채명균, 김소현, 구본철, 최창환 한국재료학회 2018년 가을 학술대회 |
| 3 |
NH3 Pre-Plasma Treatment to Reduce Interface State Density of GaN MOS Device 정우석, 임동환, 김영진, 한훈희, 손석기, Andrey Sokolov Sergeevich, 이재호, 최창환 한국재료학회 2016년 봄 학술대회 |
| 2 |
Electrical Characterization of Atomic Layer Deposited La2O3 Capped HKMG Devices 임동환, 정우석, 최창환 한국재료학회 2014년 가을 학술대회 |
| 1 |
수소처리를 통한 탄화규소 쇼트키 다이오드의 역방향 특성 개선|Improvements in the reverse characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes by hydrogen treatments 김대환, 나훈주, 정상용, 송인복, 엄명윤, 송호근, 김형준 한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
