화학공학소재연구정보센터
번호 제목
3 Comparison for Noise Performances of AlGaN/GaN HEMTs With and Without in situ Silicon Carbon Nitride (SiCN) Cap Layer
이유나, 최은경, 서재인, 최진석, 안성진
한국재료학회 2021년 봄 학술대회
2 Effect of Al Composition on the Performances of AlGaN/GaN HEMTs
최여진, 최진석, 임기식, 안성진
한국재료학회 2020년 봄 학술대회
1 저주파 잡음 모델분석을 통한 MoS2 전계효과 트랜지스터의 신뢰성 특성연구 
조영훈, 김규태
한국재료학회 2017년 가을 학술대회