화학공학소재연구정보센터
번호 제목
5 Electrically driven light emission from h-BN by using Al2O3/h-BN multiple heterostructure
문석호, 정호경, 김종규
한국공업화학회 2019년 봄 학술대회
4 Enhanced optical efficiency of InGaN light emitting diode with localized surface plasmon by using sputter fabricated Ag nanoparticle in Ionic Liquid
이원욱, 이동현, 김태환, 김규철, 이인환
한국재료학회 2018년 봄 학술대회
3 고효율 PEC 광전극 개발을 위한 InGaN/GaN MQW 광전극에서의 In 농도의 gradation 효과
배효정, 김하성, 방승완, 주진우, 전대우, 문영부, 하준석
한국재료학회 2017년 가을 학술대회
2 Improvement of Light Emission Efficiency of Green InGaN/GaN Multi-Quantum-Well Light-Emitting Diodes with Applying External Tensile Stress
Wael Z. Tawfik, Seo-Jung Bae, Hyo-Won Seo, June Key Lee
한국재료학회 2013년 가을 학술대회
1 InGaN/GaN single quantum well의 광학적 특성 및 전기적 특성의 변화에 미치는 ion beam 조사의 영향 (Influence of ion beam bombardment of sapphire substrate on optical and electrical characteristic of InGaN/GaN single quantum well)
최승규, 장재민, 정우광
한국재료학회 2007년 봄 학술대회