화학공학소재연구정보센터
번호 제목
85 원자층 증착법(ALD)을 이용한 Vanadium oxide 박막 제작 및 전기적 특성 분석
이왕곤, 서형탁, 최효빈, 신희철, 안영환, 김지웅
한국재료학회 2021년 가을 학술대회
84 Development of a Basic Model for Cerium Oxide Based Interfacial Switching Memory Device Using Finite Element Method.
Sagar Khot, 정동명, 권용우
한국재료학회 2021년 가을 학술대회
83 Fiber-GeS2-Fiber Structure OTS Device for Wearable ReRAM Devices
Donghun Shim, Taeyoon Lee
한국재료학회 2021년 가을 학술대회
82 Electrochemically deposited Cu2O double layer: Application to a Switching Layer for ReRAM
서희원, 조형균, 김동수, 최지훈, 이학현
한국재료학회 2021년 가을 학술대회
81 Pt/CeO2/Pt 멤리스터의 아날로그 저항변화를 이용한 인공 시냅스 소자 연구
박기태, Dwipak Sahu, 윤태식
한국재료학회 2021년 가을 학술대회
80 Developing a Basic Model for Interfacial Switching Mechanism of Cerium Oxide Based Resistive Memory Using Finite Element Method
Sagar Khot, 정동명, 권용우
한국재료학회 2021년 봄 학술대회
79 Resistive random-access memory (ReRAM) devices based on quasi 2D halide perovskites for high ON/OFF ratio and long-term stability
김효정, 장호원
한국재료학회 2021년 봄 학술대회
78 All Inorganic Copper-Based Halide Perovskites as ReRAM Artificial Synapses for Neuro-Computing
곽경주, 장호원
한국재료학회 2021년 봄 학술대회
77 Quasi-2D halide perovskites based Resistive random-access memory devices for ON/OFF ratio and long-term stability
Hyojung Kim, Ho won Jang
한국재료학회 2021년 봄 학술대회
76 Non-volatile Resistive Random Access Memory based on aromatic polyimide containing anthracene moiety
이승현, 최주영, 진승원, 박형주, 최윤제, 김담비, 정찬문
한국고분자학회 2020년 봄 학술대회