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원자층 증착법(ALD)을 이용한 Vanadium oxide 박막 제작 및 전기적 특성 분석 이왕곤, 서형탁, 최효빈, 신희철, 안영환, 김지웅 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
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Development of a Basic Model for Cerium Oxide Based Interfacial Switching Memory Device Using Finite Element Method. Sagar Khot, 정동명, 권용우 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
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Fiber-GeS2-Fiber Structure OTS Device for Wearable ReRAM Devices Donghun Shim, Taeyoon Lee 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
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Electrochemically deposited Cu2O double layer: Application to a Switching Layer for ReRAM 서희원, 조형균, 김동수, 최지훈, 이학현 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
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Pt/CeO2/Pt 멤리스터의 아날로그 저항변화를 이용한 인공 시냅스 소자 연구 박기태, Dwipak Sahu, 윤태식 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
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Developing a Basic Model for Interfacial Switching Mechanism of Cerium Oxide Based Resistive Memory Using Finite Element Method Sagar Khot, 정동명, 권용우 한국재료학회 2021년 봄 학술대회 |
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Resistive random-access memory (ReRAM) devices based on quasi 2D halide perovskites for high ON/OFF ratio and long-term stability 김효정, 장호원 한국재료학회 2021년 봄 학술대회 |
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All Inorganic Copper-Based Halide Perovskites as ReRAM Artificial Synapses for Neuro-Computing 곽경주, 장호원 한국재료학회 2021년 봄 학술대회 |
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Quasi-2D halide perovskites based Resistive random-access memory devices for ON/OFF ratio and long-term stability Hyojung Kim, Ho won Jang 한국재료학회 2021년 봄 학술대회 |
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Non-volatile Resistive Random Access Memory based on aromatic polyimide containing anthracene moiety 이승현, 최주영, 진승원, 박형주, 최윤제, 김담비, 정찬문 한국고분자학회 2020년 봄 학술대회 |