| 번호 | 제목 |
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양전자 소멸 측정법에 의한 실리콘에서의 구조 특성 이권희, 이종용 한국재료학회 2012년 가을 학술대회 |
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양전자 소멸 방법을 이용한 Gd2O2S:Tb 희토류 증감지 나노 크기의 결함 측정 장수민, 이종용, 권준현, 김흥회 한국재료학회 2006년 가을 학술대회 |
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양전자 소멸 분광법을 이용한 의료용 증감지 결함 특성|The Defect Characterization of intensifying screens by Positron Annihilation Spectroscopy 이종용, 김재홍, 송인성 한국재료학회 2005년 가을 학술대회 |
