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단일전구체 Hexamethyldisilane를 이용한 SiC 박막의 성장
이정휴, 이경훈, 김재수
한국재료학회 2006년 가을 학술대회 |
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압력, 온도, 유속에 따른 SiC 박막의 특성
이도한, 이성일, 김나리, 김재수, 변동진
한국재료학회 2006년 봄 학술대회 |
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Tetramethylsilane에 의한 SiC 박막의 특성평가|Characteristics of SiC film using tetramethylsilane
김나리, 김재수, 노대호, 이재훈, 안명원, 변동진
한국재료학회 2005년 가을 학술대회 |
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단일전구체를 이용한 SiC 박막의 성정과 특성평가|Growth and Chracterization of SiC film using single precursors
김나리, 김재수, 변동진, 이재훈, 양재웅, 노대호, 진정근
한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
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Silicon-on-insulator(SOI) 기판이 3C-SiC/Si 박막 내의 잔류응력에 미치는 영향|Effects of silicon-on-insulator(SOI) substrates on the residual stress within 3C-SiC/Si thin films
박주훈, 이병택, 장성주, 송호준, 김영만, 문찬기
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
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Cl2/Ar 유도 결합 플라즈마를 이용한 SiC박막 식각특성|Etching of SiC Thin Films in Cl2/Ar Inductively Coupled Plasmas
최창선, 임연호, 박진수, 김태희, 한윤봉|C. S. Choi, Y. H. Im, J. S. Park, T. H. Kim, Y. B. Hahn
한국화학공학회 2001년 봄 학술대회 |
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Si 기판 위에 성장한 SiC 박막의 반응속도론적 연구|The Reaction Kinetics in the Growth of SiC Thin Film on Si
남기석, 김광철, 서영훈|Kee Suk Nahm, Kwang Chul Kim, Young Hun Seo
한국화학공학회 2000년 봄 학술대회 |
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Si(100) 기판 위에 성장된 3C-SiC(100)의 특성 연구|The Characterization of SiC(100) Grown on Si(100) Substrate
김광철, 박찬일, 노재일, 남기석|K. C. Kim1, C. I. Park, J. I Roh.K. S. Nahm
한국화학공학회 2000년 봄 학술대회 |
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’Wet Colloid 방법’을 이용한 투명한 SiC 박막의 제조|Preparation and Characterization of transparent SiC thin films through wet colloid method
조규진, 문일식|Gyoujin Cho, Il-Shik Moon
한국화학공학회 1999년 봄 학술대회 |
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질화처리된 실리콘 기판 위에 성장된 β-SiC(111)의 특성연구|The characterization of β-SiC(111) grown on nitrided silicon substrate
김광철, 심현욱, 남기석|K. C. Kim, H. W. Shim, K. S. Nahm
한국화학공학회 1998년 봄 학술대회 |
